经过曝光和曝光后烘焙之后,就可以进行显影。在显影HAT2198R-EL-E过程中,正胶的曝光区和负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解,而正胶的非曝光区和负胶的曝光区的光刻胶则不会在显影液中溶解(或很少溶解)。这样,曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形,经过显影便显现出来,形成三维光刻胶图形,这一步骤称为显影。

    正胶经过曝光以后成为羧酸,可以被碱性的显影液中和,反应生成的胺和金属盐可以快速溶解于显影液中。非曝光区的光刻胶由于在曝光时并未发生光化学反应,在显影时也就不存在这样的酸碱中和,因此非曝光区的光刻胶被保留下来。经过曝光的正胶是逐层溶解的,中和反应只在光刻胶的表面进行,因此正胶受显影液的影响相对比较小。对于负胶来说,非曝光区的负胶在显影液中首先形成凝胶体,然后再分解掉,这就使得整个的负胶层都被显影液浸透。在被显影液浸透之后,曝光区的负胶将会膨胀变形。因此,相对来说,使用正胶可以得到更高的分辨率。另外,为了提高分辨率,目前每一种光刻胶几乎都配有专用的显影液,以倮证高质量的显影效果。

   显影后所留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀或离子注人工艺中作为掩膜,因此,显影也是一步重要工艺。严格地说,在显影时曝光区与非曝光区的光刻胶都有不同程度的溶解。曝光区与非曝光区的光刻胶的溶解速度反差越大,显影后得到的图形对比度越高。影响显影效果的主要因素包括:①曝光时间;②前烘的温度和时间;③光刻胶的膜厚;④显影液的浓度;⑤显影液的温度;⑥显影液的搅动情况等。

   进行显影的方式有许多种,目前广泛使用的是喷洒方法。这种显影方式可分为3个阶段:①硅片被置于旋转台上旋转,并且在硅片表面上喷洒显影液;②硅片在静止的状态下进行显影;③显影完成之后,需要经过漂洗,之后再旋干。显影之后对硅片进行漂洗和甩干,是因为在显影液没有完全清除之前,仍然在起作用。喷洒方法的优点在于它可以满足I艺流水线的要求。