对比度是评价成像图形质量的重要指标。对比度越高,光刻出来的微细图形越好。一般要求CON>0.5,它与图形的尺寸有关。

   尺寸控制的要求是以高准度和高精度在完整硅片表面产生器件特征尺寸。为此,PMBT3904YS首先要在图形转移工具(光刻掩模板)丨1正确地再造出特征图形,然后再准确地在硅片表面刻印出来(翻印或刻蚀)c由于光刻应用的特征尺寸非常小,且各层都需精确匹配,所以需要配合紧密。图形套准精度是衡量被刻印的图形能否匹配前面刻印图形的一种尺度光刻技术在半导体器件制造中的应用可以追溯到1958年。在采用了光刻技术之后,研制成功了平面型晶体管,推动了集成电路的发明。由1959年集成电路发明至今的50多年中,集成电路的集成度不断提高,器件的特征尺寸不断减小。在这个时期中,集成电路图形的线宽缩小了约5个数量级;目前已经普遍采用线宽为28~45nm的加I技术;同时,电路的集成度提高了7个数量级以上,在集成电路芯片中可以包含千万以至几亿数量级的器件。这些成就主要应归功于光刻技术的进步。光刻1um以下的线宽在技术上已是非常高的水平,在此基础上进一步缩小光刻图形尺寸会遇到一系列技术上甚至理论上的难题。日前大批的科学家和工程师正在从光学、物理学、化学、精密机械、自动化及电子技术等不同的途径对光刻技术进行着广泛的研究和探索。