在温度低于580℃时淀积的薄膜基本上是非晶态,在高于580℃时淀积的薄膜基本上是多晶态。在5glJ~600℃范围内淀积的薄膜倾向于〈311〉晶向; ACT4533AYH-T而低温淀积的非晶态薄膜在900~10O0℃范围内重新晶化时,晶粒更倾向于〈111〉晶向,而且再结晶时,晶粒的结构与尺寸重复性非常好。另外,以较慢的淀积速率(如580℃时,约51ml/血n;600℃时,约10nη/雨n)直接淀积的非晶薄膜的表面更为平滑,而且这个平滑表面在经历900~10OO℃退火后仍然保持平整。晶粒的平均粒度随着薄膜的厚度指数增加。

   在某些特殊场合需要制备大粒度多晶硅时,可用连续激光(或其他辐射束)熔化小粒度的多晶硅,再结晶,就生成大粒度的多晶硅,晶粒粒度增大,载流子的迁移率升高,再结晶重掺杂薄膜中载流子的迁移率能增加约一倍。对于轻掺杂薄膜,利用辐射束再结晶来增加晶粒体积,也会显著降低电阻率。

   在集成电路制造中实际应用的主要是掺杂多晶硅薄膜,特别是重掺杂多晶硅薄膜。多晶硅薄膜的掺杂可以在C`0淀积过程中直接进行气相掺杂,也可以在薄膜淀积完成之后通过离子注人或扩散进行掺杂.