影响刻蚀工艺的因素分为外部因素和内部因素。

   外部因素主要包括设备硬件的配置以及环境的温度、湿度影响,对于操作人员来说,外部因M95512-WDW6TP素只能记录,很难改变,要做好的就是优化工艺参数,实现比较理想的实验结果。

   内部因素在设备稳定的情况下对工艺结果起到决定性作用,以下所列因素对于刻蚀速率、形貌等均起到重要作用。

   ①工作压力的选择:对于不同的要求,工作压力的选择很重要,压力取决于通气量和泵的抽速,合理的压力设定值可以增加对反应速率的控制、增加反应气体的有效利用率等。

   ②R功率的选择:RF功率的选择可以决定刻蚀过程中物理轰击所占的比重,对于刻蚀速率和选择比起到关键作明。R「功率、反应气体的选择和气体通人的方式可以控制刻蚀过程为同步刻蚀或是KBCH工艺。

   ③℃P功率:It∶P功率对于气体离化率起到关键作用,保证反应气体的充分利用,常用设备rP功率最大值为2500Wc在气体流量一定的情况下,随着rP功率的增加气体离化率也相应增加,但增加到一定程度时.离化率趋向于饱和,此时再增加rP功率就会造成浪费。

   ④衬底温度和反应室温度:温度控制对于衬底本身和掩膜(特别是胶掩膜)的意义重大,目前大多数设备采用的是氦气冷却衬底背面的方式,背面控制在⒛℃左右。

    ⑤反应气体的选择和配比:以硅的刻蚀为例,刻蚀设备通了4路气体SF6、C4F:、02和CF4。其中sF6和C4F:作为反应气体参与刻蚀过程,O2和CF4作为清洗气体负责没备的清洗过程。选择合适的流量和气体通人的时问比会在很大程度上影响刻蚀面的侧壁形貌、反应速率等。

    与GaN刻蚀比较:刻蚀Ⅲ、Ⅴ族化合物咐,还要尽量保持被刻蚀界面的化学平衡。另外,莨流偏压的选择、反射功率的控制、待刻蚀ln^科1的大小、蚀材料的差异等都会影响到刻蚀面的形貌和刻蚀速率,这些都是要考虑的重要因素:曾、而言之.没有万能的程序可以适用所有的要求。所有的因素都不是单一的,而是相互作冂相辅相成的。只有各项条件都相互匹配了才能得到比较理想的不同结果。