对于早期器件的刻蚀工艺,一般来说要求刻蚀深度均匀、选择比好、掩膜能完M95256-WDW6TP全传递和侧壁的陡直度好。随着新型器件的不断出现,对于刻蚀工艺也提出了越来越多的要求,形貌方面比如圆包刻蚀、梯形刻蚀、角刻蚀等;槽的状态方面要求大的深宽比、V形槽,保证深度的情况下要求低损伤等,要想达到各种要求,除了需要我们对影响刻蚀工艺的因素有足够的了解之外,还需要对光刻I艺和掩膜条件有相当理解。

   理想的刻蚀工艺必须具有以下特点:

   ①各向异性刻蚀,即只有垂直刻蚀,没有横向钻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形;

   ②良好的刻蚀选择性,即对作为掩膜的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多,以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性,不致因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料;

   ③加工批量大,控制容易,成本低,对环境污染少,适用于t业生产。

广义而亩,刻蚀技术包含了所有将材质表面均匀移除或是有选择性地部分去除的技术,可大体分为湿法刻蚀(Wet Etcl△illg)和干法刻蚀(Dry Etcllillg)两种方法。早期刻蚀技术是采用湿法刻蚀的方法,也就是利用合适的化学溶液,先使未被光刻胶覆盖部分的被刻蚀材料分解和转变为可溶于此溶液的化合物而达到去除的目的。这种刻蚀技术的进行主要是利用溶液和被刻蚀材料之间跗化学反应,因此可以通过化学溶液的选取、配比和温度的控制,得到合适的刻蚀速率以及被刻蚀材料与光刻胶及下层材质之间的良好的刻蚀选择比。然而,由于化学反应没有方向性,湿法刻蚀会有侧向刻蚀而产生钻蚀现象,当集成电路中的器件尺寸越来越小时,钻蚀现象也越来越严重并导致图形线宽失真c因此,湿法刻蚀逐渐被干法刻蚀技术取代。

   所谓的干法刻蚀,通常指的就是利用辉光放电(αow Disclla吧e)的方式,产生带电离子以及具有高度化学活性的中性原子和自由基的等离子体,这些粒子和被刻蚀薄膜进行反应以将光刻图形转移到晶片上的技术。