sOI(Slhcon on Illsulator)技术被称为“21世纪的硅集成电路技术”,在高速、低功耗RFSA2013集成电路,高压功率器件以及抗辐射微电子等领域具有重要的应用。随着半导体工业向0.13um及更小工艺尺寸的器件转移,芯片的衬底材料对设计结构、互连和其他关键设计要素有很大影响,特别是当在器件制造中使用铜和低虍值等高级电路材料时,影响会更大。

   与体硅CMOS技术相比,⒌)I技术能将器件性能或速度提高15%~35%。SOI已经成为用于先进CMOS SOC(Systcm oll Chip)的最常用的衬底。这些器件通常用于手持系统中的主流微处理器、其他要求低功耗的新型无线电子设备中。离子注入技术在Sα技术中有两个重要应用:注氧隔离6m⑩X)技术和智能剥离(Sn.artCut)技术。