采用真空蒸镀工艺淀积薄膜,应从薄膜特性、衬底情况、设备条件这三个方面人手来确定具体工艺参数和工艺方法。

  薄膜特性是了解所淀积薄膜的材料特性,主要有薄膜材料成分,各种成分的熔点、沸点、 OPA2134UA/2K5分解温度、平衡蒸气压温度曲线(见图⒏8)、相图等。以此来确定蒸发方法和温度。

  对于单质材料,由平衡蒸气压温度曲线就能确定源大致的蒸发温度。

  对于多组分材料,应先确定蒸发方法,然后,再确定蒸发温度。如图815所示是多组分蒸发主要的三种方法:单源蒸发、多源同时蒸发和多源顺次蒸发。如果源材料各组分的平衡蒸气压接近,采用单源蒸发方法,取各组分的规定蒸发温度的平均值作为试蒸发温度,再由实验确定蒸发温度。

  还是以TiW为例,用两个坩埚,一个放人W,另一个放入⒎,在不同的温度下蒸发。虽然对于单源蒸发而言,这是一个重大改进,但为使W和Tl有相同的淀积速率,两个坩埚的蒸发温度的确定和蒸发温度的控制都必须极为精准,这是多源同时蒸发方法的难题所在。通常是基于蒸发速率公式来确定a、W的试蒸发温度的,在进行了实验调整之后才能最终确定蒸发温度。

  多源顺次蒸发是多源同时蒸发的一种替代方法。可以在多源系统中用打开与关断挡板的方法来实现多种成分的顺次交替淀积,淀积完成后.高温退火让各组分互相扩散,从而形成合金。这种方法要求衬底必须能承受退火温度。