平坦化是在基片的有源晶体管和其他组件中形成的（通常是硅）．j在201 1年， A40MX02-PL68英特尔公列宣布r具有源晶体管的栅极堆叠在晶圆上的一个新的j维(3D)器件，该器件被称为i栅晶体管、，通过增加栅极的表面积，该器件的性能得以增强（见第16章）、为通孔塞    M1为第一层金属    M2为第二层金属经过平坦化I：艺具有两种金属的VI,SI典型结构的截面图，它显示r经过平坦化T：艺后通孔深度的范围（经Solid State TechnoMgy允许）网1. 14随着英特尔重新使用的微芯片三栅晶体管变成3D器件

    半导体产业协会的发展蓝图

   主要的集成电路参数是相互关联的．摩尔定律预言了未来元件的密度，由此引发了集成度水平（元件密度）、芯片尺寸、缺陷密度（尺寸）和所要求的内部连线数量水平的计算。半导体产、地协会和伙伴已将这些列入未来半导体国际技术路线图( International Technology

Roadmap  of Semiconductors)，覆盖这些和其他关键器件以及生产参数。除了预测的元器件、艺和晶圆参数，它确定需要支持先进的元器件相伴的材料和设备未来的性能标准。