5次光刻工艺流程
发布时间:2016/8/5 20:16:37 访问次数:693
在小功率的3次光刻工艺的基础上增加了电流具体工艺流程图如图⒋25所示。
中功率芯片一般会采用CBL结构。P电极正下方的有源区进行复合发光,这部分JCC5055光基本都被P电极挡住,光出不来从而导致发光效率下降。在P电极下方增加一层绝缘介质材料,形成P电极下方电流阻挡层,迫使电流扩散到透明导电层区域,这些区域的发光比较容易取出,从而增加发光效率。关于CBL提升芯片亮度原理的详细介绍请参考5.1章节。中功率芯片在研磨后通常会背镀上高反射率的DBR。DBR可以显著提高芯片点测亮度,对封装亮度也会有一定百分比的提升,但远小于点测亮度的提升百分比。关于DBR提升芯片亮度的原理介绍。
在小功率的3次光刻工艺的基础上增加了电流具体工艺流程图如图⒋25所示。
中功率芯片一般会采用CBL结构。P电极正下方的有源区进行复合发光,这部分JCC5055光基本都被P电极挡住,光出不来从而导致发光效率下降。在P电极下方增加一层绝缘介质材料,形成P电极下方电流阻挡层,迫使电流扩散到透明导电层区域,这些区域的发光比较容易取出,从而增加发光效率。关于CBL提升芯片亮度原理的详细介绍请参考5.1章节。中功率芯片在研磨后通常会背镀上高反射率的DBR。DBR可以显著提高芯片点测亮度,对封装亮度也会有一定百分比的提升,但远小于点测亮度的提升百分比。关于DBR提升芯片亮度的原理介绍。
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