辐射高温计需通过反应室的通光窗口测量衬底表面温度,利用发射率和Planck公式计算衬底的温度囫。A914BYW-470M但是发射率因生长材料不同而改变,另外当外延层中出现Fabry-Perot光学干涉时,随着外延层厚度的增加,辐射高温计的读数出现振荡,这些都影响读数的准确性。为了得到衬底的真实温度,传统的解决方案是为辐射高温计配置烦琐的发射率校正功能系统,以此同步消除伴随材料生长和厚度变化带来的测量影响。其中特别值得一提的是,随着测量理念的更新和技术深入发展,不易受外延层生长厚度变化影响、不需辐射修正的 辐射高温计己经由中晟光电公司研制成功,应用于新一代MOCVD设备。

   反射率计如今也是MOCVD设备必不可少的眼睛。在材料的外延生长过程中,反射率谱的振幅会因生长过程中外延层表面变粗糙(或变平坦)而逐渐减小(或增大)。通过分析反射率谱在外延生长中的这些细微变化可以优化材料生长,特别是缓冲层等LED前期结构

的生长。通常反射率计由光源、单色仪和探测器等组成,要求所用的光对生长层是透明的。其工作原理是基于外延层一衬底界面和外延层表面产生的Fabry-Perot干涉形成振荡周期。这个振荡周期通常与光源波长、材料厚度及相应波长在材料中的折射率有关。最简单的反射谱是记录垂直照射到生长层表面的单色光的反射随时间的变化。如取GaN折射率为2,35,入射波长为b~s5nm,垂直入射时每一个振荡周期对应的外延层厚度为135nm。由此也可以

根据周期及其时间跨度计算出生长速度。目前使用的光源波长主要有635nm、95Onm和400nm。