积累状态下能带和电荷分布
发布时间:2016/6/30 21:49:54 访问次数:1231
以P型衬底为例进行说明,当栅极加负偏压%s<0,表面势为负值。此时氧化层与半导体的界面的能带会向上弯曲,并且在界面附近会吸引聚集一些空穴,M0334SC120使空穴数目变得更多,并且堆积在界面附近,称此状态为积累态。如图9.9所示,分别给出了积累状态下的能带图、电荷分布示意图。此时价带边缘在氧化层/半导体界面处比衬底材料更接近P型。其中费米能级在半导体中是一个常数。积累状态下栅极及氧化物/衬底界面产生等量的异种电荷。该状态等效为平板电容器,测量所得的电容等于氧化层的电容。
图99 积累状态下能带和电荷分布
以P型衬底为例进行说明,当栅极加负偏压%s<0,表面势为负值。此时氧化层与半导体的界面的能带会向上弯曲,并且在界面附近会吸引聚集一些空穴,M0334SC120使空穴数目变得更多,并且堆积在界面附近,称此状态为积累态。如图9.9所示,分别给出了积累状态下的能带图、电荷分布示意图。此时价带边缘在氧化层/半导体界面处比衬底材料更接近P型。其中费米能级在半导体中是一个常数。积累状态下栅极及氧化物/衬底界面产生等量的异种电荷。该状态等效为平板电容器,测量所得的电容等于氧化层的电容。
图99 积累状态下能带和电荷分布
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