MOS场效应管的沟道长度￡由多晶硅条的宽度确定,沟道宽度〃则由晶体管有源区的边长所确定。 ADM2483BRWZ-REEL版图上的MOS场效应管尺寸称为设计尺寸,这个尺寸决定掩模版上的图形尺寸。器件在生产过程中要经历一系列的工艺过程,将掩模版上的图形转移到硅片上,最后在硅片上得到一个MOs场效应管。由于制造工艺的影响,实际硅片上MOs场效应管的尺寸与设计尺寸之间会有所不同。

   图8.14所示是MOS场效应管版图。图中给出的多晶硅线宽为E。但最终芯片上的MOs结构中,两个N+区域间的尺寸要小于L,这是由于在离子注入、掺杂、退火等工序期间的横向扩散所致。当硅圆片被加热时,在源漏两边的掺杂物质各自朝着另一边运动,在沟道两端形成了长度为妩的重叠区。

   在对场效应管进行电气分析时,影响MOS场应管性能的是两个N+区之间最终的实际长度,这个长度即场效应管的有效沟道长度,或称电学沟道长 图8.14MOs场效应管版图 度。若将其记为Lcp显然有由于场氧生长会引起有源区域减小,实际沟道宽度也会小于设计值,这称为有源区的侵蚀,它使有效宽度变为吼f〃讼〃,Δ〃是工艺过程中引起的沟道宽度的减小。进行电气分析时,场效应管的宽长比总是用有效值之比。