结构之间所受应力与应力平均值的偏差会对各个测试结构的失效时间产生影响,DAC08AQ/883C这会导致测量点的分布特性变差。应力偏差需保持在一个比较小的范围内,使失效时 间的变化不超过20%。应力偏差对失效时间的影响可以用电迁移模型进行计算。

   当一块芯片上同时有几个测试结构在应力测试中产生明显的焦耳热时,在估算测试结构的温度时,必须考虑到相互之间的热效应。如果失效模式规定为电阻值的增加,而当测试结构失效时流过的电流值不会变化,则在以后的测试中在芯片上会产生明显的功耗。在这种情况下必须对各个测量值进行校正。如果失效判据是电阻值增加的百分比来表示,当测试结构的失效被检测到以后,流过该结构的电流减少到一个可以忽略不计的值,在这种情况下各个测试结构的测量值不必进行校正。热载流子注入效应的测试结构是MOs管,沟道长度使用该工艺过程的最小长度,当然其他长度的沟道长度也可以使用。最小沟道宽度的取值应避免窄沟热载流子注入效应。