键合的中心一原子轨道垂直于界面并指向上面氧化物中的一个空穴。在(10ω si面上,4个四面体的Si―⒏键方向以相同的角度与界面平面相交。 OES033ZE-A两个缺陷名为PbI和PbO,通过电子自旋共振(ESR)被检测到。尾l中心最初被认为一个与两个衬底si原子倒键合的si原子,其第3个饱和键连接到一个氧原子,表示为Si20≡Si・。这种定义被认为不正确,因为计算出来的缺陷能级与实验得到的不相同。最近的一项计算表明Pb1中心是不对称氧化的二聚物,没有第一相邻的氧原子。至1∞9年,Pb1和PbO中心的化学性质与Pb中心相同被明确确立。然而,两个中心在电荷态上有所不同,PbO是电活性的,而一些作者相信尾l是电惰性的。这两种不同的效应是(10ω硅应变消除的结果。该缺陷源于氧化物生长过程中在si/S⒑2层中自然发生的不匹配引起的应力。

   整个硅带隙中界面陷阱的能量分布具有电活性的缺陷。它们作为产生/复合中心贡献漏电流、低频噪声以及降低迁移漏电流和跨导。由于电子或空穴占据界面陷阱,它们也有助于阈值电压的变化,由下式给出,其中吒是表面电势。