减少多栅器件的栅层叠的界面态是1⒍m及更先进的技术代的严峻挑战之一。 ADM2587EBRW另一个关键的挑战是在高庀介质和硅之间的界面层的按比例缩小的同时,不产生由越来越明显的库仑散射和远程声子散射导致的沟道迁移率恶化。更高迁移率的材料,如锗、锗硅、Ⅲ-V族化合物半导体,将会被用来增强沟道载流子输运能力,这给未来的高庀介质层叠带来额外的困难,这是因为层叠结构的表面特性比较复杂,而且缺乏高质量的自然的界面氧化层。必须要解决对更新的高庀氧化层材料的可靠性的要求,包括介质击穿特性(硬击穿和软击穿)和晶体管不稳定性(电荷陷阱、功函数稳定性、金属离子游离或扩散等)。

   工业界的持续研发使得按比例缩小技术得以加速并变得多样化。基础的存储器包括独立的和嵌入式的DRAM、SRAM、NAND和NOR闪存。新型的存储器包括硅/氧化层/氮化层/氧化层/硅(SoNOS)、铁电RAM(FeRAM)、磁RAM(MRAM)和相变存储器(PCM)。