成自对准的源或漏。参见DMS3R3304多晶硅栅极( polycide MOS gate)。扫描电子显微镜( scanning electron microscope)：通过电子扫描的办法，可以将显微镜的放大倍数提高到50 000倍。被加速的电子撞击在样品的表面，在样品表面产生二次电子，这些电子的信息被传感器接收到并被转换成图像信号在屏幕上显示出来。划片线( scribe lines)：在晶圆上用来分隔不同的芯片之间的划片线，．在封装过程中，晶圆会被沿着划片线切开，产生出独立的芯片。

   自对准栅( self-aligned gate)：一种MOS结构，它允许源或漏直接与栅对准而无须用光刻胶对准步骤半导体( semiconductor)：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，例如硅和锗n导电的主要载体是电子和窄穴、。常见的单质半导体材料有硅和锗，常见的化合物半导体有砷化镓，等等。

   方块电阻( sheet resistance)：一种用来测量半导体中掺杂多少的测量手段，力‘块电阻的单位为欧姆／口  又称为薄层电阻。

边缘扩散( side diffusion)：参见横向扩散。

硅( silicon)：被广泛使用的第IV族半导体材料，用来制造二极管、晶体管和集成电路。

   二氧化硅( silicon dioxide)：通过硅热氧化或淀积的方法在晶圆表面形成的硅的氧化物，用做绝缘层。热氧化生长通常在900℃的温度由硅和氧气或水蒸气反应．硅栅MOS( silicon gate MOS)：在二氧化硅薄层上具有一层多晶硅的MOS栅结构。氮化硅（silicon nitride）：在600~ 900℃温度之间通过化学淀积在晶圆表面的硅的氮化物绝缘层。当在晶圆处理过程的最后被淀积时，充当芯片的保护层以防止污染。