IGBT驱动的集成芯片有哪些？

   答：IGBT驱动的集成芯片有TOSHIBA公司AD8023AR生产的TLP250系列、FUJIELECTRIC公司生产的EXB8 Series系列、MITSUBISHI公司生产的M579 Series系列等。

   TOSHIBA公司生产的集成芯片TLP250有什么特点？

   答：在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器申的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时，这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250、夏普公司生产的PC923等。TLP250包含一个GaAIAs光发射二极管和一个集成光探测器，8脚双列封装结构。其适合于IGBT或电力MOSFET栅极驱动电路。表2 -1给出其工作时的真值表。

   (1) TLP250的典型特征。

   1)输入阈值电流(IF)：5mA（最大）；

   2)电源电流(ICc)：11 mA（最大）；

   3)电源电压(Vcc): 10～35V；

   4)输出电流(j())：±0. 5A（最小）；

   5)开关时间(￡PLH／￡PHI.)：0.5p/s（最大）；

   6)隔离电压：2500V（最小）。

   图2 - 23和图2- 24给出了TLP250的两种典型应用电路。

   图2 - 24中，VT1和VT2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系，如电源电压为24V时，VT1和VT2的j。。，≥24/R。。

   TLP250驱动IGBT时，由于TLP250不具备过电流保护功能，驾IGBT过电流时，通过控制信号关断IGBT，IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向冲击，这将会产生很大的d//dt和开关损耗，而且对控制电路的过电流保护功能要求很高。