单晶( single crystal)：通常用DNA1002D来表示物质的单个晶体结构和整体结构的有序排列，与之对应的是整体无序的多晶结构，斜度刻蚀( slope etching)：受控的钻蚀，在进行孔结构的刻蚀过程中，为r减小侧壁的阴影效应而有意增加的过刻蚀。

   软烘焙( soft baking)：用来去除光刻胶中溶剂的加热过程。经过这步L2J处理之后，光刻胶仍然还是软的，将溶剂蒸发的目的有两个：(1)去除光刻胶申的溶剂成分；(2)加强光刻胶涂层和晶圆表面的黏合度，又称为前烘。

   固体电子学( solid-state electronics)：用来表示由固体材料，例如半导体材料、铁电体或薄膜组成的电子器件，，区别于早期由电子管构成的电子器件或线路。

   源极( source)：场效应管中的一个极，其余两个极为栅极和漏极。分光光度计( spectrophotometer)：-种收集光波干涉信息的仪器，通过这些信息可以计算得到薄膜的厚度。

   旋转( spinning)：当光刻胶被涂布到晶圆E，晶圆需要旋转，从而使光刻胶分布均匀。通常这样町以使光刻胶在晶圆上的厚度分布在0.5ym左右，同时保证整个晶圆表面的厚度偏差在10%以内。

   旋转清洗甩干机( spin rinse dryer)：能通过旋转自动清洗和甩干放在片匣盒里的晶圆的一 种机器。

   喷雾显影( spray development)：晶圆在真空吸盘上旋转期间，在其光刻胶层对图形显影的系统。

   扩展电阻( spreading resistance)：-种用来测量晶圆掺杂浓度的技术。溅射( sputtering)：一种在晶圆表面淀积薄膜的方法。被射频电场加速的离子撞击靶材，使靶材，七的原子被撞由下来并到达晶圆的表面沉积成薄膜。小规模集成电路(SSI)：表示2—50个器件的集成度。标准机械接口( SMIF)：允许便携式洁净晶圆的盒（被称为垫）与工艺设备的洁净微环境装载台匹配的一个系统。

驻波效应( standing wave effect)：一种垂直的光刻胶曝光图形，由于曝光的光线在晶圆表面反射的结构干涉，在光刻胶层中建立的驻波。静态存储器( static RAM)：由晶体管构成的快速可读写存储器。湿氧( steam oxide)：用气体鼓泡（通常是氧气或氮气）通过98℃~100℃水，在水蒸气环境F进行的热氧化生长工艺。