P型半导体( P-type)：在本征DM9000AE半导体中掺入元素周期表中的第III族元素就形成P型半导体，任这种半导体中导电的多子（也称多数载流子）是空穴。石英( quartz)：对于氧化硅的商业称法，因为石英的低导热性，石英在半导体工业中被广泛使用。随机存储器(RAM)：临时存放数据的器件。

   快速热氧化(RTO)：在快速热反应设备中进行的氧化工艺。快速热处理( RTP)：通过密集的灯光或者其他热源，对于晶圆进行毫r秒级的快速升温和降温处理的设备，这种设备一次只处理一片晶圆。

   RCA清洗(RCA clean)：在氧化工艺前进行的一系列步骤的清洗程序，这种清洗过程以开发这种清洗过程的RCA公司命名。

   反应离子刻蚀( RIE)：一种结合了等离子体刻蚀和离子束表面去除的刻蚀工艺。刻蚀气体通过管道进入反应室并被离子化，单独的分子被加速打到晶圆的表面，晶圆表面被同时进行的物理和化学反应腐蚀。

   反应室( reactor)：(1)在半导体LZ中进行薄膜淀积过程中用到的反应室，例如晶体外延层反应窜、气相反应窒和氮他硅反应室等；(2)参见塑封(plasma etcher)。

   难熔金属( refractory metal)：具有耐热、耐磨和耐腐蚀特性的一类金属。‘它们被用做通孑L塞体系的导体，包括钼、钽和钨。

电阻率( resistivity)：电流在材料中流过的阻抗的量度。是原子的质子带的正电荷对于原子的外部电子吸引力的函数，原子核对电子的束缚力越大，电阻率就越高分辨能力( resolution capability)：光刻T艺或其他设备可以提供的最小分辨率。放大掩模版( reticle)：只包含r整个晶圆一部分图案的光刻掩模版。漂洗( rinse)：用来去除湿法刻蚀后产物或显影后产物的工艺。通常这个【艺步骤会阻止刻蚀或硅影的化学品继续进行反应，并去除表面卜^未反应的化学品、．有很多种不同的漂洗，例如溢流漂洗、喷射漂洗、倾卸漂洗、旋转一漂洗一甩干机等．只读存储器( ROM)：-种只可以读取原来保存的数据，不可以改写的存储器。

自对准金属硅化物栅极( salicide MOS gate)：一种多晶硅化物MOS栅结构在顺序工艺中成自对准的源或漏。参见多晶硅栅极( polycide MOS gate)。