微芯片( microchip)：参见芯片

   密勒指数（Miller indices）：通过3个数字组合来表示晶体中的晶向的系统。mini环境(minienvironment)：DM0365独立的洁净小环境，晶圆的装卸、保存、运输等过程都在其中完成、少数载流子( minority carrier)：在半导体中不占优势的载流子，如在P型半导体中的自由电f存储器MOS( MMOS)：一种非易失性的存储器结构，非易失性的存储器可以在掉电的情况F保存其中的数据？

可动离子污染( mobile ionic contaminant)：这种带电荷的污染物町以导致器件的失效、、塑封( molded package)：使用环氧树脂或者其他聚合物材料熔铸在芯片和芯片管脚框架周围形成的一种封装形式.

   分子束外延( molecular beam epitaxy)：一种蒸气淀积工艺，口r以非常严格地控制整个淀积过程、分子( molecule)：保持物质本身特性的最小物质数量单元。单色光( monochromatic light)：只有单一波长的光线。金属氧化物半导体场效应管( MOSFET)：-种场效应管，包括金属栅极和氧化硅隔离层，中规模集成电路(MSI)：集成度在50~5000个器件的集成电路。多芯片封装(MCM)：在--个半导体管壳中包含用薄膜金属系统连接的两个以卜-集成电路芯片的形式.

   多层光刻胶工艺( multilayer resist process)：-种使用多层光刻胶的图像分辨]二艺纳米(nm)：长度单位，1  nm=1×]0-9 IIlr

纳米技术( nanotechnology)：用于建立半导体器件和其他具有米尺度的【艺和材料，，负胶( negative resist)：光刻胶的一种，这种光刻胶在接触到光线被曝光的部分后，在后续的显影T艺中不会被去掉，而没有被曝光的部分在显影之后会被去掉，j对于光刻掩模版的图案，应用负胶可以得到掩模版的反转片图像。图案比较少的光刻掩模版通常会使用负胶。一代光刻技术(NGL)：在晶圆进行具有纳米范围特征尺寸的图形化工艺所用的T：艺、材料和设备.