局部氧化隔离工艺( LOCOS)： 种MOS器件之间隔离的r艺，这种l：艺将包围在器件周围小DLW21SN900SQ2L被氮化硅保护的硅层氧化，然后将作为保护层的氮化硅去除，使器件牛长的硅暴露出来低压化学气相淀积( LPCVD)：  一种在低压环境下进行化学气相淀积L艺的系统．大规模集成电路(LSl)：表示器件集成度在5000~100 000个之间的集成电路、多数载流子( majority carrier)：在、#导体材料L}，f与有优势的载流f（自由电子或窄穴），例如在N掣半导体中的自丰电F光刻掩模版( mask)：在光刎r艺中使用的一种表面被各种图案覆盖的玻璃板，每个图案都包含自‘不透明和透明的部分，用来阻挡和允许光线通过，每一块光刻掩模版都会fj品圆Ii原有的l刳案对准，通过光线的透射来对光刻胶进行曝光光刻掩模版}：图案的制作材料町以足乳剂、铬、氧化铁、硅或者是其他的不透光的材料光刻( masking)：参见patterning。

   存储器（memory）：存储数据的器件、金属光刻( metal mask)：在晶圆表面留下一片独立导体材料的工艺程序金属有机化学气相外延淀积（或金属有杌气相外延）( metalorganic CVD)：  一·种使用卤化物 和金属有机物的气相外延生长。微机械电子系统( MEMS)：使用半导体制造工艺制造微小（纳米级）机器。