栅氧化层完整性( Gate Oxide Integrity，GOI)包括薄膜均匀性和污染，IRF3710PBF它是由被称为氧化层击穿电压(BV。)的破坏性电学测试来决定的。所采用的测试结构与电容电压( C/V)贫析法相同。但是，在这种情况下，电压持续增大直到氧化层被物理地损坏，电流呵以自由地从栅极流到硅中。氧化层击穿前能承受的最大电压是氧化层厚度、结构质量和纯度的函数.

   器件的关键参数之一是各类掺杂区域的结深。这一参数能在每一掺杂步骤后测量，．整个测量是离线执行的，也就是说，必须将测试晶圆或器件拿到测量机器上或测量实验室中。

   凹槽和染色

   测鼍结深的传统方法是使用凹槽（或斜面）和染色技术进行测量的。凹槽或斜面法是将结点暴露，使其相对于水平面易于观察和测量的机械方法（见图14. 12）。对于极浅的结点，既需要凹槽又需要斜面来暴露结点。

   结点本身对于肉眼是不可见的。可通过两种称为结点染色的技术实现结点可视化( junctiondelineation)。这两种方法都利用了N型和P型区域电特性不同的特点。第一种技术：刻蚀技术，它先将氢氟酸和水的混合物滴到结点处（见图14.13），然后用加热灯光直接照射暴露的结点、光和热促使空穴和电子在不同区域中的移动，移动的结果是氢氟酸和水的混合物在N型区域的刻蚀率较高，使其出现暗色斑点。

   第=种技术是电解染色，一种含铜的混合物被直接滴到暴露的结点处，然后同样用灯光照射结点，这样便形成一个电池，结点电极作为电池电极，铜溶液作为电解液起连接作用，这种液体的流动使铜在结点一侧的N型掺杂区域形成镀层。

   曝光和结点染色后，最后一步是厚度测量。许多种方法在此都可以应用，包括光学干涉法和扫描电镜法( SEM)。