RTP的应用减少了工艺所需的热预算(thermal budget)。每次在扩散温度附近加热，使晶圆OMAP330BZZG中的掺杂区向下或向旁边扩散（见第1 1章），，每次晶圆的加热或冷却都会产生更多晶格位错（见第3章）。因此，减少加热的总时间可以使设计的密度增加，减少由位错引起的失效。

   另一个优点是单片工艺。随着晶圆的直径越来越大，对均匀度的要求使得许多工艺最好采用单片工艺的设备，，

   RTP技术对于MOS栅极中薄的氧化层的生长是一种自然而然的选择。由于晶圆t：的尺、t越来越小的趋势使得加在晶圆上的每层厚度越来越薄。厚度减少最显著的是栅极氧化层、，先进的器件要求栅极厚度在io A范围内。如此薄的氧化层对于传统的反应炉来说，由于需要氧气的快速供应和快速排出，有时变得很难控制。RPT系统快速升温降温可以提供所需的控制能力。用于氧化的RTP系统也称为快速热氧化(Rapid Thermal Oxidation，RTO)系统。它

tj退火系统很相似，只是用氧气代替_『惰性气体÷图7. 24显示厂-个典型的RTO工艺中时间一温度厚度之间的关系。