其他应用RTP技术的工艺包括：湿氧化膜（水蒸气）生长、局部氧化生长、离子注OP07CP入后的源极／漏极的活化，I．PCVD多晶硅，非晶硅，钨，硅化物接触，LPCVD氮化物和1．PCVD氧化膜烈’  RTP系统用于常压、低压以及超高真空设计。、

   在辐射反应腔内，对晶圆温度控制与反应炉管是不同的。在RTP系统中，晶圆决不叮能达到热稳定、这个问题在晶圆边缘尤为严莺。另t一个问题来自于不同的膜层，这些不同的膜层以不问的方式吸收辐射能量，晶圆卜温度不同，产生了晶圆上温度的不均匀性。这种现象称为发射性( emissivity)，是特定物质和热辐射波长的特性。温度的不均匀性町以引起晶圆里或晶圆表面卜丁艺结果的不均匀，如果温度的差异过大，会在晶圆边缘产生晶格滑移位错。

   这一问题的解决方案就是对加热灯的布置和对每个加热灯-I二部和底部的加热灯的控制有些系统有个加热环，用来使边缘的温度保持在要求的温度范围内。温度通常由热电偶检测，町是它要求接触晶圆的背面，这在单片系统中是不呵行的，并且热电偶的反馈时间长 于有些RTP的加热循环。．光学的高温测量计通过测量物体发出的热能量而显示温度，这种方法是比较好的。叮是，它太容易友生失误，特别是对于具有多层膜的晶圆。难点在于晶圆发射的温度与表面实际温度的差异，解决方法是在晶圆背面加一层氮化硅以减小背面发射率的变化引和灯管开环控制技术的应用。开环控制( open loop control)基于把灯的控制直接转换成直流电( DC)，从而去除r电压变化对灯的影响。其他研究包括对来自晶圆辐射的经过与逻辑过滤后的精确取样，使之更接近晶圆表面的实际温度。由于温度提高，测量晶圆的膨胀可能足-p更町靠、更直接的技术22，，由于RTP的种种益处，包括易于自动化，它已变成·种常用的工艺。