制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 23.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Depletion
系列: IXTY1R6N50
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 最小值: 1 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.22 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 70 ns
70
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Depletion Mode MOSFET
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 6.73 mm
单位重量: 330 mg
IXFH100N25P
IXFH10N100P
IXFH10N80P
IXFH110N10P
IXFH120N15P
IXFH120N20P
IXFH12N100P
IXFH12N120P
IXFH12N80P
IXFH12N90P
IXFH140N10P
