制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 800 mA
Rds On-漏源导通电阻: 21 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 14.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Depletion
系列: IXTY08N100
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 48 ns
正向跨导 - 最小值: 330 mS
产品类型: MOSFET
上升时间: 57 ns
70
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 330 mg
IXFH30N60P
IXFH36N50P
IXFH36N60P
IXFH44N50P
IXFH52N30P
IXFH5N100P
IXFH69N30P
IXFH6N120P
IXFH74N20P
IXFH7N100P
IXFH88N30P
