制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 11.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 58 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 66 ns
正向跨导 - 最小值: 1.4 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 62 ns
70
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
IXFA14N60P
IXFA16N50P
IXFA4N100P
IXFA5N100P
IXFA6N120P
IXFA7N100P
IXFA7N80P
IXFB100N50P
IXFB170N30P
IXFB210N20P
IXFB300N10P
IXFB30N120P
IXFB40N110P
