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IS42S16160J-6BLI

发布时间:2021/2/22 20:45:00 访问次数:40发布企业:西旗科技(销售二部)





设备概述:IS42S16160J-6BLI
256Mb SDRAM是动态的高速CMOS设计用于3.3V Vdd的随机存取存储器和3.3V Vddq存储系统,包含268,435,456位。内部配置为四排DRAM,带有一个同步接口。每个67,108,864位存储体被组织为8,192行x 512列x 16位或8,192
按1,024列乘8位。256MbSDRAM包含自动刷新模式,以及省电,掉电模式。所有信号都是在时钟信号CLK的上升沿上寄存。所有输入和输出均兼容LVTTL。256Mb SDRAM具有同步爆发的能力自动列地址以高数据速率传输数据产生,在内部银行之间交错的能力隐藏预充电时间和随机选择的能力在此期间的每个时钟周期更改列地址突发访问。在突发结束时启动的自定时行预充电AUTOPRECHARGE功能可用的序列已启用。在访问其中一家银行时,为一家银行预付款其他三个银行将隐藏预充电周期并提供无缝,高速,随机访问操作。SDRAM读写访问是面向突发的启动在选定的位置并继续进行编程
编程顺序中的位置数。的激活命令的注册开始访问,然后是READ或WRITE命令。活动中命令与已注册的地址位一起用于选择要访问的库和行(BA0,BA1选择银行; A0-A12选择该行)。阅读或WRITE命令结合地址位注册用于选择起始列位置用于突发访问。可编程的READ或WRITE突发长度包括1、2、4和8个位置或整页,带有突发终止选项。


特征:IS42S16160J-6BLI
•时钟频率:166、143、133 MHz
•完全同步;所有参考信号正时钟边沿
•内部银行,用于隐藏行访问/预付费
•单电源:3.3V + 0.3V
•LVTTL接口
•可编程突发长度–(1、2、4、8,整页)
•可编程突发序列:顺序/交错
•自动刷新(CBR)
•自我刷新
•每32毫秒(A2级)或64毫秒(商业,工业,A1级)的8K刷新周期
•每个时钟周期的随机列地址
•可编程的CAS延迟(2、3个时钟)
•突发读/写和突发读/单写操作功能
•通过猝发停止和预充电命令猝发终止
•封装:54引脚TSOP-II54球BGA
•工作温度范围:商用(0oC至+ 70oC)工业(-40oC至+ 85oC)汽车等级A1(-40oC至+ 85oC)汽车等级A2(-40oC至+ 105oC)
总览
ISSI的256Mb同步DRAM实现了高速
使用管道架构进行数据传输。所有输入和
输出信号参考时钟输入的上升沿。
256Mb SDRAM的组织方式如下。



IS42S16160J-6BLI

制造商:ISSI
产品种类:动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型:SDRAM
封装 / 箱体:BGA-54
系列:IS42S16160J
封装:Tray
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
产品类型:DRAM
工厂包装数量:348
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:122 mg


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