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IS43DR16640B-3DBLI

发布时间:2021/2/22 20:51:00 访问次数:46发布企业:西旗科技(销售二部)





描述:IS43DR16640B-3DBLI

SSI的DDR2 SDRAM使用双数据速率架构来实现高速操作。双数据速率架构本质上是4n预取架构,其接口设计为在每个I / O球的时钟周期传输两个数据字。


特征:IS43DR16640B-3DBLI
时钟频率高达400MHz
8个内部银行可同时运行
4位预取架构
可编程CAS延迟:3、4、5、6和7
可编程加性延迟:0、1、2、3、4、5和6
写入延迟=读取延迟1
可编程突发序列:顺序或交错
可编程突发长度:4和8
自动和受控的预充电命令
掉电模式
自动刷新和自我刷新刷新间隔:7.8 s(8192个周期/ 64 ms)
ODT(管芯端接)
弱数据输出驱动程序选项
双向差分数据选通(单选数据选通是一项可选功能)
片上DLL将DQ和DQ转换与CK转换对齐
可以禁用DQS#进行单端数据选通
支持读取数据选通(仅x8)
差分时钟输入CK和CK#
VDD和VDDQ = 1.8V±0.1V
PASR(部分阵列自刷新)SSTL_18接口
支持tRAS锁定
工作温度:
商业(TA = 0°C至70°C; TC = 0°C至85°C)
工业(TA = -40°C至85°C; TC = -40°C至95°C)
汽车,A1(TA = -40°C至85°C; TC = -40°C至95°C)
汽车,A2(TA = -40°C至105°C; TC = -40°C至105°C)
选项
配置:
128Mx8(1600万x 8 x 8组)
64Mx16(8M x 16 x 8组)
包装:
x适用于x8的60球TW-BGA
x x16的84球TW-BGA
自刷新:
标准
低功率(L)



IS43DR16640B-3DBLI

制造商:ISSI
产品种类:动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型:SDRAM - DDR2
数据总线宽度:16 bit
组织:64 M x 16
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:BGA-84
存储容量:1 Gbit
最大时钟频率:333 MHz
访问时间:450 ps
电源电压-最大:1.9 V
电源电压-最小:1.7 V
电源电流—最大值:100 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:IS43DR16640B
封装:Tray
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:1.8 V
产品类型:DRAM
工厂包装数量:209
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:198 mg


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