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IS42S32200L-7TLI

发布时间:2021/2/22 20:46:00 访问次数:42发布企业:西旗科技(销售二部)





一般说明:IS42S32200L-7TLI
64Mb SDRAM是高速CMOS,动态设计用于3.3V的随机存取存储器包含67,108,864位的存储系统。内部地配置为具有同步功能的四排DRAM接口。每个16,777,216位的存储区组织为2,048按256列乘32位。64Mb SDRAM包括一个自动刷新模式,以及省电,掉电模式。所有信号都是在时钟信号CLK的上升沿上寄存。所有输入和输出均兼容LVTTL。64Mb SDRAM具有同步爆发的能力自动列地址以高数据速率传输数据产生,在内部银行之间交错的能力隐藏预充电时间和随机选择的能力在此期间的每个时钟周期更改列地址突发访问。


特征:IS42S32200L-7TLI
•时钟频率:200、166、143、133 MHz
•完全同步;所有参考正时钟边沿的信号
•内部银行,用于隐藏行访问/预付费
•3.3V单电源
•LVTTL接口
•可编程突发长度:(1、2、4、8,整页)
•可编程突发序列:顺序/交错
•自刷新模式
•每16ms(A2级)或64ms(Commercia,工业级,A1级)每4096个刷新周期
•每个时钟周期的随机列地址
•可编程的CAS延迟(2、3个时钟)
•突发读/写和突发读/单写操作功能
•通过猝发停止和预充电命令终止猝发
选项
•封装:86引脚TSOP-II90球TF-BGA
•工作温度范围:商业级(0oC至70oC)工业级(-40oC至85oC)汽车级A1(-40oC至85oC)汽车级A2:(-40oC至105oC)



IS42S32200L-7TLI

制造商:ISSI
产品种类:动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型:SDRAM
数据总线宽度:32 bit
组织:2 M x 32
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-86
存储容量:64 Mbit
最大时钟频率:143 MHz
访问时间:5.4 ns
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:3 V
电源电流—最大值:90 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:IS42S32200L
封装:Tray
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:3.3 V
产品类型:DRAM
工厂包装数量:108
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:560 mg


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