一般说明:IS34ML02G081-TLI
IS34 / 35ML2G081是256Mx8bit，具有备用8Mx8bit容量。该器件提供3.3V Vcc电源。其NAND单元为固态海量存储提供了最具成本效益的解决方案市场。存储器分为可独立擦除的块，因此可以保留有效数据，同时删除旧数据。该器件包含2,048个块，由64页组成，由两个32个NAND结构组成串联连接的闪存单元。程序操作允许以典型的300us写入2,112字节的页面X8器件块的128K字节的擦除操作通常可以在3ms内完成。页面模式下的数据可以每个Word 25ns的循环时间读取。 I / O引脚用作以下端口地址和命令输入以及数据输入/输出。回写功能可以优化缺陷块管理：当执行页面程序时操作失败，可以将数据直接编程在同一数组部分的另一页中无需耗时的串行数据插入阶段。高速缓存程序功能允许将数据插入高速缓存寄存器，而将数据寄存器复制到Flash阵列中。当将长文件写入内部时，这种流水线式程序操作可提高程序吞吐量记忆。还实现了缓存读取功能。此功能可以大大改善必须连续流出页面时的读取吞吐量。此设备包括额外的功能：加电时自动读取。
特征:IS34ML02G081-TLI
灵活高效的内存
建筑
-组织：256Mb x8
-存储单元阵列：（256M + 8M）x 8位
-数据寄存器：（2K + 64）x 8位
-页面大小：（2K + 64）字节
-块擦除：（128K + 4K）字节
-存储器单元：1bit /存储器单元
最高性能
-阅读表现
-随机读取：25us（最大）
-串行访问：25ns（最大）
-写性能
-程序时间：400us-典型
-块擦除时间：2ms –典型
低功耗，宽温度。范围
-单3.3V（2.7V至3.6V）电压
供应
-15 mA有效读取电流
-10 μA待机电流
-温度等级：
-工业：-40°C至+ 85°C
-扩展：-40°C至+ 105°C
-汽车，A1：-40°C至+ 85°C
-汽车，A2：-40°C至+ 105°C
可靠的CMOS浮栅
技术
-ECC要求：X8-1bit / 512Byte
-续航时间：100K编程/擦除周期
-资料保留时间：10年
制造商:ISSI
产品种类:NAND闪存
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-48
系列:IS34ML02G081
存储容量:2 Gbit
接口类型:Parallel
组织:256 M x 8
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:30 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
商标:ISSI
最大时钟频率:33 MHz
产品类型:NAND Flash
工厂包装数量:96
子类别:Memory & Data Storage
