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IS43DR16160B-3DBLI

发布时间:2021/2/22 20:47:00 访问次数:40发布企业:西旗科技(销售二部)





描述:IS43DR16160B-3DBLI

ISSI的256Mb DDR2 SDRAM使用双倍数据速率架构实现高速运行。的双数据速率架构本质上是4n预取架构,其接口设计为可传输两个I / O球上每个时钟周期的数据字。


特征:IS43DR16160B-3DBLI
•Vdd = 1.8V±0.1V,Vddq = 1.8V±0.1V
•JEDEC标准1.8V I / O(与SSTL_18兼容)
•双倍数据速率接口:每时钟周期两次数据传输
•差分数据选通(DQS,DQS)
•4位预取架构
•片上DLL,用于将DQ和DQS转换与CK对齐
•4个内部银行可同时运行
•支持可编程的CAS延迟(CL)3、4、5、6和7
•已发布的CAS和可编程的附加延迟(AL)支持0、1、2、3、4、5和6
•写延迟=读延迟-1 tCK
•可编程突发长度:4或8
•可调的数据输出驱动强度,完全和减小的强度选项
•片上终止(ODT)
选项•配置:
16Mx16(4Mx16x4个存储区)IS43 / 46DR16160B
•包装:
84球TW-BGA(8毫米x 12.5毫米)
时间-周期时间
2.5ns @ CL = 5 DDR2-800D
2.5ns @ CL = 6 DDR2-800E
3.0ns @ CL = 5 DDR2-667D
3.75ns @ CL = 4 DDR2-533C
5.0ns @ CL = 3 DDR2-400B
• 温度范围:
商业(0°C≤Tc≤85°C)
工业(-40°C≤Tc≤95°C; -40°C≤Ta≤85°C)
汽车,A1(-40°C≤Tc≤95°C; -40°C≤Ta≤85°C)
汽车,A2(-40°C≤Tc; Ta≤105°C)
Tc =外壳温度,Ta =环境温度



IS43DR16160B-3DBLI

制造商:ISSI
产品种类:动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型:SDRAM - DDR2
数据总线宽度:16 bit
组织:16 M x 16
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:BGA-84
存储容量:256 Mbit
最大时钟频率:333 MHz
访问时间:450 ps
电源电压-最大:1.9 V
电源电压-最小:1.7 V
电源电流—最大值:120 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 95 C
系列:IS43DR16160B
封装:Tray
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:1.8 V
产品类型:DRAM
工厂包装数量:209
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:5 g

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