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IS42S16400J-6TLI

发布时间:2021/2/22 20:45:00 访问次数:41发布企业:西旗科技(销售二部)





一般说明:IS42S16400J-6TLI
64Mb SDRAM是高速CMOS,动态设计用于3.3V的随机存取存储器包含67,108,864位的存储系统。内部地配置为具有同步功能的四排DRAM接口。每个16,777,216位的存储区组织为4,096按256列乘16位。


特征:IS42S16400J-6TLI
•时钟频率:200、166、143、133 MHz
•完全同步;所有参考正时钟边沿的信号
•内部银行,用于隐藏行访问/预付费
•3.3V单电源
•LVTTL接口
•可编程突发长度–(1、2、4、8,整页)
•可编程突发序列:顺序/交错
•自刷新模式
•自动刷新(CBR)
•每64 ms(Com,Ind,A1级)或16ms(A2级)每4096个刷新周期
•每个时钟周期的随机列地址
•可编程的CAS延迟(2、3个时钟)
•突发读/写和突发读/单写操作功能
•通过猝发停止和预充电命令猝发终止
•封装:54引脚TSOP II54球TF-BGA(8mm x 8mm)60球TF-BGA(10.1mm x 6.4mm)
•工作温度范围商业(0oC至+ 70oC)工业(-40oC至+ 85oC)汽车级A1(-40oC至+ 85oC)汽车A2级(-40oC至+ 105oC)
总览
ISSI的64Mb同步DRAM组织为1,048,576
位x 16位x 4组以提高性能。的
同步DRAM实现高速数据传输
使用管道架构。所有输入和输出信号
指时钟输入的上升沿。



IS42S16400J-6TLI

制造商:ISSI
产品种类:动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型:SDRAM
数据总线宽度:16 bit
组织:4 M x 16
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TSOP-54
存储容量:64 Mbit
最大时钟频率:166 MHz
访问时间:5.4 ns
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:3 V
电源电流—最大值:100 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:IS42S16400J
封装:Tray
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:3.3 V
产品类型:DRAM
工厂包装数量:108
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:541 mg


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