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IS42S32400F-7BLI

发布时间:2021/2/22 20:47:00 访问次数:45发布企业:西旗科技(销售二部)





设备概述:IS42S32400F-7BLI
128Mb SDRAM是高速CMOS,动态设计用于3.3V Vdd的随机存取存储器和3.3V Vddq存储系统,包含134,217,728位。内部配置为四排DRAM,带有一个同步接口。每个33,554,432位的存储体被组织为4,096行乘256列乘32位128MbSDRAM包含自动刷新模式,以及省电,掉电模式。所有信号都是在时钟信号CLK的上升沿上寄存。所有输入和输出均兼LVTTL。128Mb SDRAM具有同步爆发的能力自动列地址以高数据速率传输数据产生,在内部银行之间交错的能力隐藏预充电时间和随机选择的能力在此期间的每个时钟周期更改列地址突发访问。


特征:IS42S32400F-7BLI
•时钟频率:166、143、133 MHz
•完全同步;所有参考正时钟边沿的信号
•内部银行,用于隐藏行访问/预付费
•单电源:3.3V + 0.3V
•LVTTL接口
•可编程突发长度–(1、2、4、8,整页)
•可编程突发序列:顺序/交错
•自动刷新(CBR)
•自我刷新
•每16毫秒(A2级)或64毫秒(商业,工业,A1级)4096个刷新周期
•每个时钟周期的随机列地址
•可编程的CAS延迟(2、3个时钟)
•突发读/写和突发读/单写操作功能
•通过猝发停止和预充电命令终止猝发
选项
•封装:86引脚TSOP-II90球TF-BGA
•工作温度范围:商业级(0oC至+ 70oC)工业级(-40oC至+ 85oC)汽车级,A1(-40oC至+ 85oC)汽车级,A2(-40oC至+ 105oC)



IS42S32400F-7BLI

制造商:ISSI
产品种类:动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型:SDRAM
数据总线宽度:32 bit
组织:4 M x 32
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:BGA-90
存储容量:128 Mbit
最大时钟频率:143 MHz
访问时间:6.5 ns
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:3 V
电源电流—最大值:100 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:IS42S32400F
封装:Tray
商标:ISSI
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:3.3 V
产品类型:DRAM
工厂包装数量:240
子类别:Memory & Data Storage


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