对于这些不同架构的存储器来说,按照存储层的材料可以分为三维浮栅存储器和=维电荷俘获存储器。TA7291FG前者主要由美同美光公司推介,在2015年底完成了技术上的准备,由于采用多晶硅浮栅作为存储层,存储单元面积更大,在实现更多层存储单元层叠时工艺难度较大,因此主要是通过把外围电路置于存储阵列下面来实现面积的缩减。对于三维电荷俘获存储器,又可以划分为垂直栅型和垂直沟道型。台湾旺宏公司推出的基于垂直栅结构的=维电荷俘获闪存结构,工艺上要难于垂直沟道型,一直未见其宣告量产。垂直沟道型三维电荷俘获存储器是最早实现大规模量产的闪存产品,2013年8月,三星电子公司推出了第一代24层的=维垂直沟道型电荷俘获=维存储器,2014年7月推出了第二代32层128Gb产品,⒛15年推出了迮8层256Gb的产品。事实上,=星电子公司的垂直沟道型三维电荷俘获存储器单元也是基于无结场效应晶体管结构,如图3.31所示。该芯片具有24层堆叠的字线(WI冫)0除最底层的单元选择晶体管为常规反型工作模式,其余每个字单元晶体管均为基于电荷捕获闪存无结薄膜晶体管(JI冫Charge Tmp Flash Thi⒈Ⅲm Transistor,J⒈CTFTFT)。该器件关闭时要求多晶硅薄膜沟道(管状)处于全耗尽状态;因此,多晶硅薄膜厚度(TCH)要尽量薄。此外,进一步增加存储单元密度的强劲需求,也在不断推动缩小多晶硅薄膜沟道TCH。与工作在反型模式(IM)的器件相比,该产品表现出更优异的性能,可提供更快速的写人/擦除(P/E)速度,更大的内存窗口(>12V)和更好的耐力()101次);在150℃测试条件下,还具有优良的10年数据保留能力。更为出色的是该器件开关电流比大于10:,同时具备非常陡峭的亚阈值摆幅(SS)[63]