在源/漏区选择性外延生长锗化硅。

   源/漏结的形成。 TC74HC00AF

   自对准硅化物的形成。

   双极应力刻蚀阻挡层薄膜的形成。

   沉积金属层前的介电层。

   使用化学机械研磨去除上述介电层来暴露多晶硅栅电极。

   去除虚拟多晶硅栅电极和栅氧化物。

   沉积高介电常数栅和金属电极。

   使用化学机械研磨去除多余的金属层等后续工艺。

   在5,4节已经讨论了双极应力刻蚀阻挡层薄膜在提高器件性能方面的实用性。在应力薄膜技术中,器件性能的提高依赖于薄膜本身的应力、厚度,并与沟道的接近程度有关。我们把应力薄膜放置于更加靠近沟道的方法叫做应力临近技术(⒏rcss Pro妯mity Tech血que,SPT)[+l。应力临近技术已经被成功地用于双极应力刻蚀阻挡层薄膜技术中,它通过去除应力薄膜和多晶硅栅之间的侧墙,使得从应力薄膜到沟道之间的应力接近和应变转移得到最大化E40~421。要获得更高的器件性能,需要在沟道中施加更大的应变;也可以在同样应力的薄膜条件下,通过减薄侧墙宽度来获得。然而,减薄侧墙宽度会降低器件的短沟道特性,也会使自对准硅化物太靠近沟道,从而带来自对准硅化物与沟道连通的风险。采用应力临近技术,侧墙在自对准硅化合物形成后去除,然后沉积双极应力刻蚀阻挡薄膜。这样就可以最小化上面所提及的潜在问题。