对于技术节点为亚65nm、器件深宽比大于8的结构来说,人们发现用这种多步的沉积一刻蚀虽然能够改善HDP的填充能力,但是会使工艺变得非常复杂, K4D263238F-QC50沉积速度变慢,而且随着循环次数的增加,刻蚀对衬底的损伤会变得更加严重。囚此03 TEOS基的亚常压化学汽相沉积(SACVD)工艺再次提出被用于沟槽填充,由于它可以实现保形生长,所以具有很强的填充能力(深宽比)10)。但是由于SACVD是一种热反应过程,所以传统的SACVD生长速度都比较慢,美国应用材料公司AMAT的HARP(High Aspect Ratio Process)采用TEOS ram盯up技术,可以在保证填充能力的条件下,获得较快的生长速度,这使得SACVD 代替HDP成为可能。而且随着器件尺寸的减小,器件对等离子造成的损伤越来越敏感,sACVD由于是一种纯热过程,所以在45nm以后它比HDP有更多的优势。

   目前主要用于STI与PMD绝缘介质的填充。STI过程因为没有温度限制,所以可以通过高温540℃获得高质量高填充能力的薄膜,而PMD由于有使用温度限制,一般采用4∞℃沉积温度。

   由于SACVD是一种热反应过程,一般来讲,低的沉积速度和高的03/TEOS比值将获得较高的填充能力。AMAT的H^RP采用=步沉积法,通过调节03/TEC)s比例获得较好的填充效果同时提高沉积速率(见图4.20):第一步是TEOS ramp up的过程,在沉积的起始阶段,保持非常高的03/TEOS比例,以较慢的速度得到非常薄的成核层;第二步在较低的速度下保证填满整个STI沟槽间隙。因此,把第一步与第二步中的03/TE(JS比值设计得很高,到第三步时,继续提高反应中TEOS的流量,从而得到更高的沉积速率。