为了减少双极型晶体管收集区的串联电阻,并减小寄生pnp管的影响,在作为双极型晶体管的收集区的外延层和衬底间通常需要制作rl-埋层。 P0804BD首先在衬底上热氧化生长二氧化硅,光刻,RIE刻蚀氧化层露出埋层区域,然后注人n型杂质(磷、砷等),随后退火激活杂质,埋层杂质的选择原则是:苜先是杂质在硅中的固溶度要大,以降低收集区串联电阻;其次是希望在高温下,杂质在硅中的扩散系数小,以减小外延时的杂质扩散效应;此外还希望与硅衬底的晶格匹配好,以减小应力。研究表明,最理想的埋层杂质是As。

   外延层的生长

   用HF湿法腐蚀去除全部二氧化硅层后,外延生长一层轻掺杂的硅。该外延层将作为双极型晶体管的收集区,整个双极型晶体管便是制作在该外延层上的。生长外延层时需要考虑的主要参数是外延层的电阻率ρ。和外延层的厚度民。为了 减小结电容、提高击穿电压BⅥ⒛、并降低后续热过程中外延层中杂质的外推,pl应该高一些,而为了降低收集区串联电阻又希望ρ。低一些。因此。c。需要加以折中选择。一般外延层的厚度需要满足以下要求:外延层厚度基区掺杂的结深+收集区厚度+埋层上推距离+后续各工序中生长氧化层所消耗的外延层厚度。