常压下,铝熔点为660.4℃,沸点为2467℃,在1250℃时的平衡蒸气压为1,333Pa,所以1250℃是I程上规定的蒸发温度,这一温度并不高,PM7350-PI所以长期以来铝膜都是使用电阻加热方法淀积的。

   铝源在蒸发过程中是先熔化,再汽化挥发。熔融铝能浸润钨丝,因此可以采用钨丝作为镀铝的电阻加热器。常用的钨丝加热器的形状和铝丝源的摆放方式如图⒌32所示。

    蒸发源铝丝的纯度应在5N以上。衬底温度约150℃。铝丝表面在常温常压环境会有一层致密的氧化层(川20),应预蒸发数秒待氧化层挥发完毕之后,再打开挡板淀积铝膜;钨丝加热器在熔融铝全部蒸发完的瞬间高温下与铝生成四铝化钨,为避免将其淀积在铝膜上,应在熔融铝全部蒸发完之前的就关断挡板。加热器钨丝的纯度也对所镀铝膜的纯度带来影响,钨丝中通常含有痕量的钠。淀积1um厚的铝膜,耗源约1g,淀积速率约0.8um/min。

   电阻真空镀铝工艺方法简单,容易操作,但是镀膜纯净度不高,衬底附着性和台阶覆盖特性也较差,目前只是在对铝膜质量要求不高的场合使用。