隔离工艺是集成电路工艺的重要环节。双极型电路采用的隔离方法主要有pn结隔离、介质隔PAM3101DAB330离及pn结一介质混合隔离。传统的pn结隔离工艺一直沿用至今,而在当今的双极型ULSI中多采用先进l,ll结-介质混合隔离工艺。

   1pn结隔离

   pn结隔离是利用反向偏压下pn结的高阻特性实现隔离的方法。这是最早出现也是常用的一种隔离方法。pn结隔离的优点是工序简单、成本低;缺点是它的结电容大,高频性能差,存在着较大的lDll结反向漏电和寄生晶体管效应。

    以t△pn电路隔离工艺为例,通常采用轻掺杂的p型硅为衬底,掺杂浓度一般在10Ⅱ敲oms/cm3的数量级。掺杂浓度较低,从而可以减小收集(集电)结的结电容,并提高收集结的击穿电压。但掺杂浓度过低会在后续工艺中使埋层下推过多。过去为了减少外延层的缺陷,通常选用偏离2°~5°的(111)晶向。但是目前为了和CMOS置艺兼容,都选用了标准的(10ω晶向。pn结隔离工艺如图12-20所示。