光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一。用光刻图形来确定分立器件和集成电路中的各个区域,如注人区、接触窗口和压焊区等。 PMBT2907A由光刻工艺确定的光刻胶图形并不是最后器件的构成部分,仅是图形的印模,为F制备出实际器件的结构图形,还必须再一次把光刻胶图形转移到光刻胶下面组成器件的材料层上。也就是使用能够对非掩蔽部分进行选择性去除的刻蚀工艺来实现图形的转移。在衬底硅片的加工过程中,三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件依次在硅片表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的,并且结合生成薄膜及去除特定部分,通过光刻工艺过程,最终在衬底上保留特征图形的部分。光刻I艺的目标是根据电路设计的要求,生成尺寸精确的特征图形,并且在衬底表面的位置正确且与其他部件的关联正确。

   光刻工艺贯穿半导体器件和集成电路制造工艺的始终,如制作分立器件3DK4,有四次光刻;大规模集成电路的制作一般每个晶片要经过10次以上的光刻;而当代的超大规模集成电路的制作则需要几十次乃至上百次的光刻才能完成。在集成电路中,光刻的最小线条尺寸是其发展水平的标志。当前国内集成电路芯片制造的最高△艺水平是中芯国际的28nmェ艺线,国际上已达到14nm。如表91所示为预期的几代r对光刻技术的要求。

   光刻系统的主要指标包括分辨率R(rcsoltttlO11)、焦深(Depth of Focus,DC,F)、对比度(Cf,N)、特征线宽(Chtlcd Dnlen“ol△,∞)控制、对准和套刻精度(赳1鲫nt al△dlhˉt・day)、产率(Thr。ughout)及价格。