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恩智浦半导体
BUK652R3-40C
N沟道的TrenchMOS中级FET
10
V
GS
(V)
V
DS
I
D
003aae254
8
14V
6
V
GS （ PL ）
V
GS （ TH）
V
GS
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
Q
G（ TOT ）
003aaa508
V
DS
= 32V
4
2
Q
GS
0
0
100
200
Q
G
（ NC ）
300
图13.栅极电荷波形定义
图14栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值
003aae255
100
I
S
(A)
80
60
T
j
= 175
°C
40
T
j
= 25
°C
20
0
0
0.3
0.6
0.9
V
SD
(V)
1.2
图15，源电流作为源极 - 漏极电压的函数;典型值
BUK652R3-40C
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第2版 - 2010年8月18日
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