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恩智浦半导体
BUK652R3-40C
N沟道的TrenchMOS中级FET
300
I
D
(A)
240
003aae288
120
P
DER
(%)
80
03na19
180
120
(1)
40
60
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
10
4
I
D
(A)
10
3
性限R
DSON
= V / I
D
DS
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aae247
t
p
=10
μ
s
100
μ
s
10
2
10
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
BUK652R3-40C
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第2版 - 2010年8月18日
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