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恩智浦半导体
BUK652R3-40C
N沟道的TrenchMOS中级FET
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到安装基座
从热阻
结到环境
条件
SEE
图4
垂直于自由空气
民
-
-
典型值
-
60
最大
0.49
-
单位
K / W
K / W
1
003aae269
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
10
-1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
t
p
T
10
-2
0.02
P
δ
=
单发
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
T
t
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
BUK652R3-40C
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第2版 - 2010年8月18日
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