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恩智浦半导体
BUK652R3-40C
N沟道的TrenchMOS中级FET
10
5
C
（PF ）
10
4
003aae252
C
国际空间站
10
3
C
OSS
C
RSS
10
2
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图16的输入，输出和反向转移电容的漏 - 源极电压的函数;典型值
BUK652R3-40C
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产品数据表
第2版 - 2010年8月18日
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