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恩智浦半导体
BUK652R3-40C
N沟道的TrenchMOS中级FET
10
-1
I
D
(A)
10
-2
003aad806
4
V
GS （ TH）
(V)
3
最大@ 1毫安
003aae542
民
10
-3
典型值
最大
2
典型值@ 1毫安
10
-4
1
分@ 2.5毫安
10
-5
10
-6
0
1
2
3
V
GS
(V)
4
0
-60
0
60
120
T
j
(°C)
180
图9 。
亚阈值漏电流的函数
栅源电压
8
003aae283
图10.栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温
2.5
a
2
003aad793
R
DSON
(mΩ)
6
V
GS
(V) = 3.3
3.4
1.5
4
3.6
3.8
4.0
2
5.0
10
1
0.5
0
0
10
20
30
40
I
D
(A)
50
0
-60
0
60
120
T
j
(°C)
180
图11.漏源通态电阻为一个函数
漏电流;典型值
图12.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数
BUK652R3-40C
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第2版 - 2010年8月18日
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