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恩智浦半导体
BUK652R3-40C
N沟道的TrenchMOS中级FET
6.特性
表6 。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
特征
参数
漏源
击穿电压
门极 - 源
电压
条件
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
I
D
= 250 μA ; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= -55 °C
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 25 °C;
SEE
图9 ;
SEE
图10
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= -55 °C;
SEE
图10
I
D
= 2.5毫安; V
DS
= V
GS
; T
j
= 175 °C;
SEE
图10
I
DSS
I
GSS
R
DSON
漏极漏电流
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 175 °C
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 0 V; V
GS
= 20V;牛逼
j
= 25 °C
V
DS
= 0 V; V
GS
= -20 V ;牛逼
j
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175 °C;
SEE
图12 ;
SEE
图11
动态特性
Q
G（ TOT ）
总栅极电荷
I
D
= 25 A; V
DS
= 32 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图13 ;
SEE
图14
I
D
= 25 A; V
DS
= 32 V; V
GS
= 5 V;
SEE
图13 ;
SEE
图14
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水
电感
内源
电感
从漏极引线6毫米包
模具中心;牛逼
j
= 25 °C
从源代码导致源焊盘;
T
j
= 25 °C
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V;
R
G（ EXT ）
= 10
I
D
= 25 A; V
DS
= 32 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图13 ;
SEE
图14
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25°C ;看
图16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
260
147
38
72
11.3
1447
1014
60
140
234
416
4.5
7.5
-
-
-
-
15.1
1750
1390
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
nC
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
民
40
36
1.8
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
2.3
-
-
-
0.02
2
2
2
2.5
2.8
-
最大
-
-
2.8
3.3
-
500
1
100
100
2.3
3.1
3.6
5
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
m
m
m
m
静态特性
BUK652R3-40C
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产品数据表
第2版 - 2010年8月18日
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