ISL8101
数据表
2008年7月28日
FN9223.1
两相多相降压PWM
控制器集成MOSFET驱动器
该ISL8101两相PWM控制IC提供
先进的负载高达精密调压系统
60A至80A 。多相电源转换为标
从单相转换器的配置出发
采用以满足日益增加的电流需求
现代的微处理器和其它电子电路。通过
分配功率和负载电流，实现
多相转换器采用体积更小，成本更低
晶体管更少的输入和输出电容器。这些
减少从更高的有效转化累积
频与较高频率的纹波电流，由于
此拓扑的相位交错处理。
该控制器IC的突出特点包括可编程
英特尔VRM9 ， VRM10 ，以及兼容的VID代码
AMD的锤微处理器，以及一个系统
调节精度
±1%.
该ISL8101 ，不过，不
本质上允许负载线路调整（不下垂） 。
该控制器IC的重要特征包括一组
复杂的过电压和过电流保护。
在转换器转动下的过压的结果
ON的MOSFET钳位输出电压的升高和保护
微处理器。像其他Intersil的多相
控制器， ISL8101使用成本和节省空间
r
DS （ ON）
传感通道电流平衡和
过电流保护。通道电流均衡是
自动和精确的集成的电流平衡
控制系统。过流保护可以针对任何
应用程序而无需额外的部件。这些功能
为现代电力系统的智能保护。
特点
集成的两相电源转换
5V至12V输入电压转换
精确的通道电流共享
- 无损耗电流采样 - 使用
DS （ ON）
精确的输出稳压
-
±1%
系统精度过热（商业）
微处理器电压识别输入
- 最多6位DAC
- 可选择英特尔VRM9 ， VRM10之间，或者AMD的
锤DAC码
快速瞬态恢复时间
过流保护
预偏置输出启动运行
源和接收器输出电流
- 总线终端应用
改进的，多层次的过压保护
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB效率，具有aThinner简介
无铅（符合RoHS ）
引脚
ISL8101
（ 24 LD QFN ）
顶视图
UGATE1
19
18 PHASE1
17 LGATE1
25
GND
16 PVCC
15 LGATE2
14 PGND
13 PHASE2
7
艾辛河
8
VCC
9
OFS
10
SSEND
11
BOOT2
12
UGATE2
BOOT1
20
订购信息
部分
数
（注）
ISL8101CRZ*
（注）
ISL8101IRZ*
（注）
部分
记号
81 01CRZ
81 01IRZ
温度。
(°C)
0至+70
包
PKG 。
DWG 。 ＃
VID1
VID0
DACSEL/VID5
VRM10
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
ENLL
VID2
VID3
VID4
24 Ld的4×4 QFN L24.4x4B
（无铅）
-40到+85 24 Ld的4×4 QFN L24.4x4B
（无铅）
ISL8101EVAL1评估平台
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
请参阅TB347对卷筒的详细信息
特定连接的阳离子。
注意：
这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊
无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料，
100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS
标准，既锡铅和无铅焊接兼容
操作）。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值
达到或超过的无铅要求的回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006年， 2008年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL8101
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
, P
VCC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.25V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . P
GND
- 0.3V至P
GND
+ 27V
相电压，V
相
. . . . . . . . . . V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
上层栅极电压，V
UGATE
. . . . V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压，V
LGATE
. . . . . . . . . P
GND
- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
CC
+ 0.3V
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
7.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
测试条件： V
CC
= 5V ，T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。有MIN和/或MAX参数
限制是100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
VCC POR （上电复位）阈值
I
VCC
; ENLL =高
VCC上升
VCC下降
-
4.2
3.7
-
-
189
166
-
-
4
4.4
3.9
4.3
3.3
222
205
1.33
67
6
4.6
4.1
-
-
255
241
-
-
mA
V
V
V
V
千赫
千赫
V
%
PVCC POR （上电复位）阈值
PVCC崛起
PVCC降
开关频率（每通道）
T
J
= + 25 ° C至+ 85°C
T
J
= -40°C
振荡器斜坡幅度（注3 ）
最大占空比
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL下降阈值
参考和DAC
系统精度
V
P-P
-
-
0.645
0.567
-
-
V
mV
-1
T
J
= -40 ° C至+ 85°C
-1.5
-
0.8
VIDx = 0V
-
-
-
-
-
45
1
1.5
0.4
-
-
%
%
V
V
A
DAC输入低电压
DAC输入高电压
DAC输入上拉电流
误差放大器器
直流增益（注3）
增益带宽积（注3 ）
压摆率（注3 ）
最大输出电压
最小输出电压
R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容，R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容，负载=
±400A
负载= 1毫安
负载= -1mA
-
-
-
3.90
-
96
20
8
4.20
0.80
-
-
-
-
0.90
dB
兆赫
V / μs的
V
V
4
FN9223.1
2008年7月28日
ISL8101
电气规格
测试条件： V
CC
= 5V ，T
J
= 0 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。有MIN和/或MAX参数
限制是100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
（续）
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
过电流保护
过电流跳闸水平
保护
过电压阈值，而IC残疾人
72
95
115
A
VRM9.0配置
锤子和VRM10.0配置
1.90
1.60
-
-
1.95
1.65
VID
+200mV
100
2.00
1.70
-
-
V
V
V
mV
过电压阈值
过电压滞后
开关时间
UGATE上升时间（注3 ）
LGATE上升时间（注3 ）
UGATE下降时间（注3 ）
LGATE下降时间（注3 ）
UGATE开启非重叠（注3 ）
LGATE开启非重叠（注3 ）
产量
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意：
FB上升
t
的Rugate ;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
RLGATE ;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
富盖特;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
FLGATE ;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
PDHUGATE
; V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
PDHLGATE
; V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
-
-
-
-
-
-
8
8
8
4
8
8
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
百毫安源电流
百毫安灌电流
百毫安源电流
百毫安灌电流
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
0.4
2.5
2.5
2.5
1.0
Ω
Ω
Ω
Ω
3.限制应被视为典型的和不生产测试。
时序图
t
PDHUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
FLGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
功能引脚说明
VCC （引脚8 ）
偏置电源IC的小信号的电路。这个连接
引脚为5V电源和退耦本地使用0.1μF的质量
陶瓷电容器。该引脚监测上电复位
（ POR ）的目的。
PVCC （引脚16 ）
电源引脚的MOSFET驱动器。将此引脚连接到
5V电源和本地去耦使用1μF的质量
陶瓷电容器。该引脚监测POR目的。
GND和PGND （引脚25和14）
用最短这些引脚连接至电路接地
可能路径。所有内部小信号电路是
5
FN9223.1
2008年7月28日
ISL8101
数据表
2006年2月13日
FN9223.0
两相多相降压PWM
控制器集成MOSFET驱动器
该ISL8101两相PWM控制IC提供
先进的负载高达精密调压系统
60A - 80A 。多相电源转换为标
从单相转换器的配置出发
采用以满足日益增加的电流需求
现代的微处理器和其它电子电路。通过
分配功率和负载电流，实现
多相转换器采用体积更小，成本更低
晶体管更少的输入和输出电容器。这些
减少从更高的有效转化累积
频与较高频率的纹波电流，由于
此拓扑的相位交错处理。
该控制器IC的突出特点包括可编程
英特尔VRM9 ， VRM10 ，以及兼容的VID代码
AMD的锤微处理器，以及一个系统
调节精度
±1%.
该ISL8101 ，不过，不
本质上允许负载线路调整（不下垂） 。
该控制器IC的重要特征包括一组
复杂的过电压和过电流保护。
在转换器转动下的过压的结果
ON的MOSFET钳位输出电压的升高和保护
微处理器。像其他Intersil的多相
控制器， ISL8101使用成本和节省空间
r
DS （ ON）
传感通道电流平衡和
过电流保护。通道电流均衡是
自动和精确的集成的电流平衡
控制系统。过流保护可以针对任何
应用程序而无需额外的部件。这些功能
为现代电力系统的智能保护。
特点
集成的两相电源转换
5V至12V输入电压转换
精确的通道电流共享
- 无损耗电流采样 - 使用
DS （ ON）
精确的输出稳压
-
±1%
系统温度测量的精确性（商业）
微处理器电压识别输入
- 最多6位DAC
- 可选择英特尔VRM9 ， VRM10之间，或者AMD的
锤DAC码
快速瞬态恢复时间
过流保护
预偏置输出启动运行
源和接收器输出电流
- 总线终端应用
改进的，多层次的过压保护
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220
QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅加退火有（符合RoHS ）
引脚
ISL8101 （ QFN ）
顶视图
UGATE1
19
18 PHASE1
17 LGATE1
25
GND
16 PVCC
15 LGATE2
14 PGND
13 PHASE2
7
艾辛河
8
VCC
9
OFS
10
SSEND
11
BOOT2
12
UGATE2
BOOT1
20
部分
数
ISL8101CRZ
（注）
ISL8101IRZ
（注）
ISL8101EVAL1
部分
记号
8101CRZ
8101IRZ
温度。
(°C)
0到70
包
PKG 。
DWG 。 ＃
VID1
VID0
DACSEL/VID5
VRM10
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
24 Ld的4×4 QFN L24.4x4B
（无铅）
-40到85 24 Ld的4×4 QFN L24.4x4B
（无铅）
评估平台
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡兼容
和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL在
达到或超过了无铅要求的无铅峰值回流温度
的IPC / JEDEC J STD- 020 。
**联系工厂。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ENLL
VID2
VID3
VID4
订购信息
ISL8101
绝对最大额定值
电源电压VCC ， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.25V
绝对的启动电压，V
BOOT
。 。 。 。 。 PGND - 0.3V至PGND + 27V
相电压，V
相
. . . . . . . . . . V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
上层栅极电压，V
UGATE
. . . . V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压，V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 PGND - 0.3V至VCC + 0.3V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 HBM等级1 JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
QFN封装（注1 ， 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
7.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
注意：压力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
测试条件： V
CC
= 5V ，T
J
= 0 ° C至85°C ，除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
VCC POR （上电复位）阈值
I
VCC
; ENLL =高
VCC上升
VCC下降
PVCC POR （上电复位）阈值
PVCC崛起
PVCC降
开关频率（每通道）
T
J
- 25 ° C至85°C
T
J
= -40°C
振荡器斜坡幅度（注3 ）
最大占空比
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL下降阈值
参考和DAC
系统精度
T
J
= -40 ° C至85°C
DAC输入低电压
DAC输入高电压
DAC输入上拉电流
误差放大器器
直流增益（注3）
增益带宽积（注3 ）
压摆率（注3 ）
最大输出电压
最小输出电压
过电流保护
过电流跳闸水平
72
95
115
A
R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容，R
L
= 10K到地
C
L
= 100pF电容，负载=
±400A
负载= 1毫安
负载= -1mA
-
-
-
3.90
-
96
20
8
4.20
0.80
-
-
-
-
0.90
dB
兆赫
V / μs的
V
V
VIDx = 0V
-1
-1.5
-
0.8
-
-
-
-
-
45
1
1.5
0.4
-
-
%
%
V
V
A
-
-
0.645
0.567
-
-
V
mV
V
P-P
-
4.2
3.7
-
-
189
166
-
-
4
4.4
3.9
4.3
3.3
222
205
1.33
67
6
4.6
4.1
-
-
255
241
-
-
mA
V
V
V
V
千赫
千赫
V
%
4
FN9223.0
2006年2月13日
ISL8101
电气规格
参数
保护
过电压阈值，而IC残疾人
VRM9.0配置
锤子和VRM10.0配置
过电压阈值
过电压滞后
开关时间
UGATE上升时间（注3 ）
LGATE上升时间（注3 ）
UGATE下降时间（注3 ）
LGATE下降时间（注3 ）
UGATE开启非重叠（注3 ）
LGATE开启非重叠（注3 ）
产量
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意：
3.参数幅度由设计保证。
百毫安源电流
百毫安灌电流
百毫安源电流
百毫安灌电流
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
0.4
2.5
2.5
2.5
1.0
t
的Rugate ;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
RLGATE ;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
富盖特;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
FLGATE ;
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
PDHUGATE
; V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
t
PDHLGATE
; V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
-
-
-
-
-
-
8
8
8
4
8
8
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FB上升
1.90
1.60
-
-
1.95
1.65
VID
+200mV
100
2.00
1.70
-
-
V
V
V
mV
测试条件： V
CC
= 5V ，T
J
= 0 ° C至85°C ，除非另有说明
（续）
测试条件
民
典型值
最大
单位
时序图
t
PDHUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
FLGATE
t
PDHLGATE
t
RLGATE
功能引脚说明
VCC （引脚8 ）
偏置电源IC的小信号的电路。这个连接
引脚为5V电源和退耦本地使用0.1μF的质量
陶瓷电容器。该引脚监测上电复位
（ POR ）的目的。
GND和PGND （引脚25和14）
用最短这些引脚连接至电路接地
可能路径。所有内部小信号电路是
引用到GND引脚。 LGATE驱动的参考从所述
PGND引脚。
VID0-4 （引脚2 ， 1 ， 24-22 ）
电压识别输入的微处理器。这些引脚
回应TTL逻辑阈值。该ISL8101解码
VID输入以建立输出电压;看到VID桌
DAC码和输出电压之间的对应关系
设置。这些引脚在内部拉高，
约1.2V ，以40μA （典型值）内部电流
FN9223.0
2006年2月13日
PVCC （引脚16 ）
电源引脚的MOSFET驱动器。将此引脚连接到
5V电源和本地去耦使用1μF的质量
陶瓷电容器。该引脚监测POR目的。
5
