IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO
256 ×18 - BIT ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 2048 ×18 ，4096 ×18
商用和工业温度范围
CMOS SyncFIFO
256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18,
2048 ×18 ，4096 ×18
集成设备技术有限公司
IDT72205LB
IDT72215LB
IDT72225LB
IDT72235LB
IDT72245LB
产品特点：
256× 18位的组织阵列（ IDT72205LB ）
512× 18位的组织阵列（ IDT72215LB ）
1,024× 18位的组织阵列（ IDT72225LB ）
2048 ×18位的组织阵列（ IDT72235LB ）
4096 ×18位的组织阵列（ IDT72245LB ）
10纳秒的读/写周期时间
空和满标志信号FIFO状态
在深度和宽度易于扩展
异步或重合读写时钟
可编程几乎空和几乎全部用标志
默认设置
半满标志功能
双端口零落空时体系结构
输出使能输出数据总线的高阻抗
状态
高性能的亚微米CMOS技术
提供64引脚薄型四方扁平封装（ TQFP / STQFP ）
与塑料有引线芯片载体（ PLCC ）
工业级温度范围（-40
°
C至+ 85
°
C）可
描述：
该IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB
非常高速，低功耗的先入先出（ FIFO）的
回忆时钟读写控制。这些FIFO
适用于各种各样的数据缓冲的需要，例如
如光磁盘控制器，局域网（ LAN）的，并
处理器间通信。
这些FIFO具有18位输入和输出端口。输入
端口由一个自由运行的时钟（ WCLK ） ，以及输入控制
使能引脚（
文
） 。数据被读入的同步FIFO
每个时钟时
文
为有效。输出端口被控制
由另一个时钟引脚（ RCLK ），另一个使能引脚（
任
） 。该
读时钟可连接到写时钟为单个时钟
操作或两个时钟可以运行一个异步
另一种为双时钟运行。输出使能引脚（
OE
）是
设置在读出端口的输出的三态控制。
在同步FIFO有两个固定的标志，空（
EF
）和
全部（
FF
） ，以及两个可编程标志，即殆-空（
PAE
)
和几乎全部（
PAF
） 。可编程的偏置负载
标志是通过一个简单的状态机控制，并且通过启动
断言负载引脚（
LD
） 。半满标志（
HF
）是可用的
当FIFO被用于在单个设备的配置。
这些器件的深度扩展使用菊花链
技术。 Xi和
XO
引脚用来扩大的FIFO中。
在深度扩展配置，
FL
被接地的第一
设备并设置为HIGH在菊花链中的所有其他设备。
该IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB是
采用IDT的高速亚微米CMOS制造技
术。
功能框图
WCLK
D0-D17
输入寄存器
偏移寄存器
写控制
逻辑
写指针
RAM阵列
256 x 18, 512 x 18
1,024 x 18, 2,048 x 18
4,096 x 18
旗
逻辑
/(
读指针
读控制
逻辑
)
(
)/
扩展逻辑
输出寄存器
复位逻辑
Q0-Q17
SyncFIFO是商标和IDT标志是集成设备技术， Inc。的注册商标。
RCLK
2766 DRW 01
商用和工业温度范围
2000集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
2000年5月
DSC-2766/-
1
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO
256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 2048 ×18 ，4096 ×18
商用和工业温度范围
销刀豆网络gurations
D
15
D
16
D
17
GND
RCLK
V
CC
GND
V
CC
Q
17
Q
16
GND
Q
15
D
14
D
13
D
12
D
11
D
10
D
9
V
CC
D
8
GND
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
9 8 7 6 5 4 3 2 68 67 66 65 64 63 62 61
10
60
1
11
59
12
58
13
57
14
56
15
55
16
54
17
53
18
52
19
51
20
50
49
21
48
22
47
23
46
24
45
25
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
WCLK
Q
0
Q
1
GND
Q
2
Q
3
V
CC
V
CC
/
V
CC
Q
14
Q
13
GND
Q
12
Q
11
V
CC
Q
10
Q
9
GND
Q
8
Q
7
V
CC
Q
6
Q
5
GND
Q
4
2766 DRW 02
PLCC （ J68-1 ，订货代码： J），
顶视图
D
16
D
17
GND
RCLK
V
CC
GND
销1
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
WCLK
Q
0
Q
1
GND
Q
2
Q
3
V
CC
/
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
D
15
D
14
D
13
D
12
D
11
D
10
D
9
D
8
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
Q
17
Q
16
GND
Q
15
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
Q
14
Q
13
GND
Q
12
Q
11
V
CC
Q
10
Q
9
GND
Q
8
Q
7
Q
6
Q
5
GND
Q
4
V
CC
2766 DRW 03
TQFP （ PN64-1 ，订货代码： PF ）
STQFP （ PP64-1 ，订货代码： TF ）
顶视图
2
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO
256 ×18 - BIT ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 2048 ×18 ，4096 ×18
商用和工业温度范围
引脚说明
符号
D0–D17
名字
数据输入
RESET
I / O
I
I
数据输入一个18位的总线。
当
RS
置为低电平，内部读和写指针被设置为所述第一位置
RAM阵列，
FF
和
PAF
变为高电平，并且
PAE
和
EF
变低。之前需要进行重置
上电后最初的写操作。
当
文
为低电平时，数据被写入FIFO的WCLK低到高的转变，
如果FIFO没有满。
当
文
低并且
LD
是高电平时，数据被写入到FIFO的每个低到高
WCLK的过渡。当
文
为高电平时，FIFO保持之前的数据。数据将不
写入到FIFO中，如果
FF
是低的。
当
任
是LOW时，数据被从FIFO读出的RCLK的一个低到高的跳变中，如果
FIFO不为空。
描述
RS
WCLK
写时钟
写使能
I
I
文
RCLK
读时钟
读使能
I
I
任
OE
LD
当
任
低并且
LD
是高电平时，数据被从FIFO中读出的每个低到高
RCLK过渡。当
任
为高电平时，输出寄存器保存的先前的数据。数据
不能从FIFO中读出，如果
EF
是低的。
当
OE
为低电平时，数据输出总线是有效的。如果
OE
为高电平时，输出数据总线将
处于高阻抗状态。
OUTPUT ENABLE
负载
I
I
FL
WXI
RXI
FF
EF
PAE
PAF
WXO
/
HF
RXO
Q0–Q17
V
CC
GND
当
LD
是在D0 -D11被写入偏移和深度的寄存器的输入端时，数据
在WCLK ，当在低到高的转变
文
是低的。当
LD
低，
上Q0- Q11的从偏移和深度寄存器读取在低到中的数据输出
当RCLK高过渡，
任
是低的。
先装
I
在单个设备或宽度扩展配置，
FL
被接地。在深度扩张
CON连接的配置中，
FL
被接地的第一装置（第一负载装置）上，并设置为HIGH对于所有其它
设备的菊花链。
在单个设备或宽度扩展配置，
WXI
被接地。在深度
扩展配置，
WXI
被连接到
WXO
（写扩展出）以前的设备。
写扩张
扩展阅读
满标志
空标志
可编程
几乎空标志
可编程
几乎满标志
写扩张
出/半满标志
扩展阅读
OUT
数据输出
动力
地
I
I
O
O
O
在单个设备或宽度扩展配置，
RXI
被接地。在深度扩张
CON连接的配置中，
RXI
被连接到
RXO
（阅读扩展出）以前的设备。
当
FF
为低电平时，FIFO为满并且进一步的数据写入到输入被禁止。当
FF
为高电平时， FIFO未满。
FF
同步到WCLK 。
当
EF
为低时，所述的FIFO是空的，进一步的数据读出从输出被抑制。
当
EF
为高电平时， FIFO不为空。
EF
同步到RCLK 。
当
PAE
为低时，所述的FIFO是空的，几乎基于所述偏移编程到
FIFO。默认的复位偏移量是31空IDT72205LB ， 63空
IDT72215LB和127从空IDT72225LB / 72235LB / 72245LB 。
O
当
PAF
为低电平时，FIFO几乎充满基于所述偏移编程到FIFO中。
默认的复位偏移量是31全的IDT72205LB ， 63全为IDT72215LB ，和
127从全额IDT72225LB / 72235LB / 72245LB 。
在单个设备或宽度扩展配置中，设备是超过半满
当
HF
为LOW 。在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
WXO
to
WXI
的下一个设备的时候，在FIFO中的最后位置被写入。
O
O
O
在深度扩展配置中，一个脉冲被发送
RXO
to
RXI
下一个器件的
当在FIFO中的最后位置被读出。
数据输出为一个18位总线。
+ 5V电源引脚。
八接地引脚的PLCC和7引脚TQFP的/ STQFP 。
3
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO
256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 2048 ×18 ，4096 ×18
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
存储
温度
直流输出电流
Com'l & Ind'l
-0.5到+7.0
-55到+125
-50到+50
单位
V
°C
mA
建议的直流
工作条件
符号
参数
电源电压
V
CC
Com'l / Ind'l
GND
V
IH
V
IL
(1)
T
A
T
A
电源电压
输入高电压
Com'l / Ind'l
输入低电压
Com'l / Ind'l
工作温度
广告
工作温度
产业
分钟。
4.5
0
2.0
—
0
–40
典型值。
5.0
0
—
—
—
—
MAX 。 UNIT
5.5
V
0
—
0.8
70
85
V
V
V
°C
°C
2766 TBL 03
注意：
2766 TBL 02
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
注意：
1. 1.5V下冲被允许为10ns的每秒一次循环。
DC电气特性
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
IDT72205LB
IDT72215LB
IDT72225LB
IDT72235LB
IDT72245LB
商业和工业
(1)
t
CLK
= 10，15， 25纳秒
分钟。
典型值。
–1
–10
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
符号
I
LI
(2)
I
LO
(3)
参数
输入漏电流（任何输入）
输出漏电流
输出逻辑“1”的电压，I
OH
= -2毫安
输出逻辑“ 0 ”电压，I
OL
= 8毫安
有源电源电流
待机电流
马克斯。
1
10
—
0.4
60
5
单位
A
A
V
V
mA
mA
V
OH
V
OL
I
CC1
(4,5,6)
I
CC2
(4,7)
2766 TBL 04
注意事项：
1.工业温度范围的产品为为15ns和25ns的速度等级可作为标准设备。
2.测量0.4
≤
V
IN
≤
V
CC
.
3.
OE
≥
V
IH ，
0.4
≤
V
OUT
≤
V
CC
.
4.测试与产出开放（I
OUT
= 0).
5. RCLK和WCLK切换，在20 MHz和数据输入的开关频率为10 MHz 。
6.对于72205/72215/72225的典型I
CC1
= 1.81 + 1.12*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
（单位为mA） ;
为72245分之72235的典型I
CC1
= 2.85 + 1.30*f
S
+ 0.02*C
L
*f
S
（单位为mA） 。
这些方程是有效的在下列条件下：
V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F
S
= WCLK频率= RCLK频率（以MHz为单位，采用TTL电平） ，数据在f开关
S
/2, C
L
=容性负载（单位为pF ） 。
7，所有输入= V
CC
- 0.2V或GND + 0.2V ，除RCLK和WCLK ，这在20 MHz的切换。
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
(2)
C
OUT
(1,2)
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
2766 TBL 05
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
2766 TBL 06
注意事项：
1.输出取消， （
OE
≥
V
IH
).
2.特征值，而不是目前的测试。
4
IDT72205LB / 72215LB / 72225LB / 72235LB / 72245LB CMOS SyncFIFO
256 ×18 - BIT ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 2048 ×18 ，4096 ×18
商用和工业温度范围
AC电气特性
（商业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= 0 ° C至+ 70°C ;工业： V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
广告
72205LB10
72215LB10
72225LB10
72235LB10
72245LB10
分钟。马克斯。
—
2
10
4.5
4.5
3
0
3
0
10
8
8
—
0
3
3
—
—
—
—
—
—
3
3.5
5
5
100
6.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
—
6
6
6.5
6.5
17
17
17
6.5
—
—
—
—
Com'l & Ind'l
(1)
72205LB15
72205LB25
72215LB15
72215LB25
72225LB15
72225LB25
72235LB15
72235LB25
72245LB15
72245LB25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
—
2
15
6
6
4
1
4
1
15
10
10
—
0
3
3
—
—
—
—
—
—
6.5
5
6
6
66.7
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
8
8
10
10
24
24
24
10
—
—
—
—
—
2
25
10
10
6
1
6
1
25
15
15
—
0
3
3
—
—
—
—
—
—
10
10
10
10
40
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
—
12
12
15
15
26
26
26
15
—
—
—
—
符号
f
S
t
A
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
t
DS
t
DH
t
ENS
t
ENH
t
RS
t
RSS
t
RSR
t
RSF
t
OLZ
t
OE
t
OHZ
t
WFF
t
REF
t
PAF
t
PAE
t
HF
t
XO
t
XI
t
XIS
t
SKEW1
t
SKEW2
参数
时钟周期频率
数据访问时间
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
数据建立时间
数据保持时间
使建立时间
能保持时间
复位脉冲宽度
(2)
复位建立时间
复位恢复时间
重置为国旗和输出时间
输出使能，以在低Z输出
(3)
输出使能到输出有效
输出使能到输出高-Z
(3)
写时钟为全旗
读时钟为空标志
时钟可编程几乎全部
旗
时钟可编程几乎空
旗
时钟到半满标志
时钟输出扩展
扩展脉冲宽度
扩大建立时间
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为全旗
读时钟&之间的偏移时间
写时钟为空标志
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.工业温度范围是可以作为标准产品为15ns的
和25ns的速度等级。
2.脉冲宽度小于最小值是不允许的。
3.价值由设计保证，目前尚未进行测试。
2766 TBL 07
5V
1.1K
D.U.T.
680
30pF*
2766 DRW 04
图1.输出负载
*包括夹具和范围电容。
5
