V
CE
I
C
=
=
1200 V
100 A
IGBT -模具
5SMY 12K1201
芯片尺寸： 11.9 X 11.2毫米
文档。第5SYA1635-01 2006年9月
超低损耗薄IGBT芯片
高度坚固的SPT
+
设计
大粘合发射区
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
栅极 - 发射极电压
IGBT短路SOA
结温
1)
1)
符号条件
V
CES
I
C
I
CM
V
GES
t
PSC
T
vj
V
CC
= 900 V, V
CEM
≤
1200 V
V
GE
≤
15 V ，T
vj
≤
125 °C
限制T
vjmax
V
GE
= 0 V ，T
vj
≥
25 °C
民
最大
1200
100
200
单位
V
A
A
V
s
°C
-20
20
10
-40
150
最大额定值表示超越其损坏设备的限制，符合IEC 60747 ，可能会发生 - 9
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
5SMY 12K1201
IGBT特征值
参数
收集器（发射极）
击穿电压
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
2)
符号条件
V
（ BR ） CES
V
CE坐
I
CES
I
GES
V
GE （ TO ）
Q
ge
C
IES
C
OES
C
水库
R
GINT
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
CC
= 600 V，I
C
= 100 A,
R
G
= 10
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载
V
CC
= 600 V，I
C
= 100 A,
R
G
= 10
,
V
GE
=
±15
V,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载
V
CC
= 600 V，I
C
= 100 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 10
,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载，
FWD ： 5SLX 12H1200
V
CC
= 600 V，I
C
= 100 A,
V
GE
= ± 15 V ，R
G
= 10
,
L
σ
= 60 nH的，
感性负载
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
V
GE
= 0 V，I
C
= 1毫安，T
vj
= 25 °C
I
C
= 100 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
T
vj
= 25 °C
T
vj
= 125 °C
民
1200
典型值
最大
单位
V
1.8
2.0
100
400
-200
5
6.2
1050
7.43
0.52
0.34
2
125
135
60
60
420
490
60
75
8.6
200
7
V
V
A
A
nA
V
nC
nF
ns
ns
ns
ns
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V，T
vj
= 125 °C
I
C
= 4毫安， V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25 °C
I
C
= 100 A，V
CE
= 600 V, V
GE
= -15 ..15 V
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1MHz时，
T
vj
= 25 °C
导通开关能量
E
on
mJ
12.4
6.8
mJ
10.8
470
A
关断开关能量
E
关闭
短路电流
2)
I
SC
t
PSC
≤
10
μs,
V
GE
= 15 V ，T
vj
= 125 °C,
V
CC
= 900 V, V
CEM
≤
1200 V
9 - 根据IEC 60747的特征值
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1635-01 2006年9月
页2的5
5SMY 12K1201
机械性能
参数
整体模L
x
W
尺寸
裸露
L
x
W（除闸垫）
正面金属
门垫
厚度
金属化
3)
3)
单位
11.9
x
11.2
10.4
x
9.7
1.2
x
1.22
130 ± 20
AlSi1
铝/钛/镍/银
4
1.2
mm
mm
mm
m
m
m
L
x
W
前（ E）
背面（℃）
组装说明，请参阅：从ABB瑞士公司，半导体，医生IGBT和二极管芯片。第5SYA 2033 。
外形绘图
1.31
1.20
±0.05
G
11.19
±0.05
1.22
±0.05
1.32
10.06
9.67
辐射源
10.37
10.77
11.89
±0.05
注：所有尺寸以毫米
这是静电敏感器件，请遵守了国际标准IEC 60747-1 ，第一章。 IX 。
该产品的设计和工业级合格。
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1635-01 2006年9月
第3 5
5SMY 12K1201
300
200
V
CE
= 20 V
180
250
25 °C
200
160
140
125 °C
120
I
C
[A]
I
C
[A]
150
100
80
100
60
40
20
V
GE
= 15 V
125 °C
25 °C
50
0
0
1
2
V
CE
[V]
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
V
GE
[V]
图。 1
典型通态特性
图。 2
典型的传输特性
100
90
80
70
E
on
, E
关闭
[兆焦耳]
60
50
40
30
20
E
关闭
10
E
sw
[兆焦耳= 1.23 ×10
-3
X我
C2
+ 2.33 x 10
-2
X我
C
+ 7.29
45
V
CC
= 600 V
R
G
= 10欧姆
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 60 nH的
E
on
, E
关闭
[兆焦耳]
40
35
30
25
20
15
E
关闭
10
5
0
0
50
100
150
I
C
[A]
200
250
300
0
10
20
30
40
50
60
70
R
G
[欧]
V
CC
= 600 V
I
C
= 100 A
V
GE
= ±15 V
T
vj
= 125 °C
L
σ
= 60 nH的
E
on
E
on
0
图。 3
典型的开关特性VS
集电极电流
图。 4
典型的开关特性VS
栅极电阻
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
文档。第5SYA1635-01 2006年9月
第4 5
5SMY 12K1201
20
10
C
IES
V
CC
= 600 V
15
V
CC
= 800 V
V
GE
[V]
V
GE
= 0 V
f
OSC
= 1兆赫
V
OSC
= 50毫伏
C [ nF的]
1
C
OES
10
C
水库
5
I
C
= 100 A
T
vj
= 25 °C
0
0.0 0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Q
g
[C]
0.9 1.0
0.1
0
5
10
15
20
V
CE
[V]
25
30
35
图。五
典型栅极电荷特性
图。 6
典型的电容VS
集电极 - 发射极电压
ABB瑞士公司，半导体公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
ABB瑞士公司
半导体
Fabrikstrasse 3
CH -5600伦茨堡，瑞士
电话
传真
电子邮件
因特网
+41 (0)58 586 1419
+41 (0)58 586 1306
abbsem@ch.abb.com
www.abb.com/semiconductors
文档。第5SYA1635-01 2006年9月
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